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871.
872.
采用RFID(射频识别)芯片IA4420设计了一款主动式应答器,主要应用于矿井安全生产管理。其工作中心频率为905 MHz,数据通信的核心部分是印刷偶极子天线,从仿真结果来看:其相对带宽约为40%,增益约为4.236 dB,输入阻抗接近纯电阻50Ω,性能参数较好。 相似文献
873.
874.
介绍了传声器阵列语音拾取和传输的基本原理,给出了系统各个模块的设计方案和实现方法。采用FPGA实现多路音频信号复用和传输,完成了大型传声器阵列的结构设计。该系统稳健性能高、扩展性良好、多路语音数据有较高的同步性。在大型互动游戏环境中能方便地完成人机语音指令交互。 相似文献
875.
876.
Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad(Si). Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment. 相似文献
877.
Kwang‐Seong Choi Haksun Lee Hyun‐Cheol Bae Yong‐Sung Eom Jin Ho Lee 《ETRI Journal》2015,37(2):387-394
A novel interconnection technology based on a 52InSn solder was developed for flexible display applications. The display industry is currently trying to develop a flexible display, and one of the crucial technologies for the implementation of a flexible display is to reduce the bonding process temperature to less than 150°C. InSn solder interconnection technology is proposed herein to reduce the electrical contact resistance and concurrently achieve a process temperature of less than 150°C. A solder bump maker (SBM) and fluxing underfill were developed for these purposes. SBM is a novel bumping material, and it is a mixture of a resin system and InSn solder powder. A maskless screen printing process was also developed using an SBM to reduce the cost of the bumping process. Fluxing underfill plays the role of a flux and an underfill concurrently to simplify the bonding process compared to a conventional flip‐chip bonding using a capillary underfill material. Using an SBM and fluxing underfill, a 20 μm pitch InSn solder SoP array on a glass substrate was successfully formed using a maskless screen printing process, and two glass substrates were bonded at 130°C. 相似文献
878.
879.
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。 相似文献
880.