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半导体量子点中极化子的有效质量 总被引:10,自引:6,他引:4
研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少 相似文献
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Shiao-Shien Chen Tung-Yang Chen Tien-Hao Tang Jin-Lian Su Tzer-Min Shen Jen-Kon Chen 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(7):1683-1689
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs. 相似文献
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随着印制电路板产业飞速发展,其引发的环境问题日益受到广泛的关注。然而长期以来如何有效地进行环境冲击评估是业内研究的重点和难点。而本文采用了一种智能的简化分析方法来进行全面的环境冲击评估,以提高评估的经济效益和准确度,并希望能为决策者提供一个可供参考的环境冲击评估的理念和方法。 相似文献
116.
117.
韦文玉 《信息安全与通信保密》2006,(8):28-29
论文简单分析了FIPSPUB140-2标准及其在密码模块开发过程中的指导意义,可作为密码模块技术开发人员在进行安全性设计时的参考。 相似文献
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在数据采集中采用带通采样,可大大降低采样率,但系统中的抗混叠滤波器会造成相位的非线性。采用对滤波后的信号进行带通采样,然后再用FRR滤波器校正相位的非线性,从而不失真地还原原信号,最后在Matlab中进行仿真,验证了该方法的有效性。 相似文献
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基于有限状态的全周期序列混沌映射的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在有限长度的数字计算机中,混沌迭代序列是一个有限周期序列,其相关性能远远低于理想序列。基于skew tent映射,提出一种离散化的有限状态混沌映射,它允许精确的数值计算,没有舍入误差,通过选择合适的参数,映射能产生全周期长度的序列。仿真实验表明,归一化的序列平均周期对计算机精度不敏感,生成的二进制序列具有良好的相关性能。 相似文献