首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2281篇
  免费   455篇
  国内免费   568篇
化学   1044篇
晶体学   46篇
力学   123篇
综合类   66篇
数学   225篇
物理学   576篇
无线电   1224篇
  2024年   9篇
  2023年   40篇
  2022年   74篇
  2021年   85篇
  2020年   65篇
  2019年   72篇
  2018年   79篇
  2017年   117篇
  2016年   90篇
  2015年   136篇
  2014年   126篇
  2013年   142篇
  2012年   180篇
  2011年   191篇
  2010年   185篇
  2009年   185篇
  2008年   212篇
  2007年   231篇
  2006年   200篇
  2005年   150篇
  2004年   101篇
  2003年   81篇
  2002年   91篇
  2001年   97篇
  2000年   108篇
  1999年   39篇
  1998年   35篇
  1997年   22篇
  1996年   22篇
  1995年   15篇
  1994年   17篇
  1993年   16篇
  1992年   14篇
  1991年   7篇
  1990年   9篇
  1989年   14篇
  1988年   7篇
  1987年   4篇
  1986年   3篇
  1985年   5篇
  1984年   4篇
  1983年   7篇
  1981年   4篇
  1978年   2篇
  1977年   3篇
  1973年   1篇
  1971年   1篇
  1965年   1篇
  1963年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有3304条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
简介了广播式自动相关监视系统(ADS-B)的工作原理、数据格式等,设计并实现了ADS-B地面站的显示终端软件,利用设计模式实现了软件模块间的解耦,提高了软件复用度。软件人机界面友好、操作简单,在相关领域具有较好的应用价值。  相似文献   
52.
童恩  邵建  韦庞 《移动通信》2015,(Z1):89-92
在国内4G快速发展的背景下,3G网络逐步被取代以承载移动宽带用户的数据流量,因而国内涌现了很多认为3G网络如TD-SCDMA已过时的观点,本文通过对中国移动现网用户的数据承载、自主知识产权技术积累、国内外通信体制的博弈、国内4G的发展和人才培养等方面进行分析,显示了TD-SCDMA仍发挥着重要的作用。  相似文献   
53.
采用三维全息原子场作用矢量(3D-HoVAIF)对20个TIBO类衍生物抗艾滋病药物进行定量构效关系(QSAR)研究。运用偏最小二乘回归(Partial Least Square Regression,PLS)建模,同时采用内部及外部双重验证的办法对所得模型稳定性能进行深入分析和检验。PLS建模的复相关系数(Rcum)、留一法(Leave-one-out,LOO)交互校验(Cross-validation,CV)复相关系数(QCV)和外部样本校验复相关系数(Qext)分别为0.837、0.804、0.812。结果表明,3D-HoVAIF能较好表征TIBO类衍生物抗艾滋病药物分子结构信息,  相似文献   
54.
以四乙基氢氧化铵(TEAOH)为结构导向剂,在超浓水热条件下合成了手性多形体A(简称A形体)过量的β沸石,对初始凝胶的性质及晶化过程进行了深入研究,测定了相应的晶化曲线.研究结果表明,与晶化出A形体含量低于50%的普通β沸石的合成体系相比,晶化出A形体过量的β沸石的合成体系中含水量极低,凝胶中过量的水必须在晶化之前通过加热去除,但过度去除初始凝胶中的水则会显著延长晶化时间.在晶化初期,产物中己出现A形体过量特征,随着晶化的进行,A形体的过量程度无显著变化.  相似文献   
55.
庄汝杰  陈冠军  庄伟  陈扬  童培建 《应用数学》2015,37(4):295-296,299
目的 探讨腰椎Modic I型改变的腰椎终板与椎间盘髓核中TNF-α、IL-6、IL-8 的相关性。方法 收集30 例因下腰痛入院手术治疗并行腰椎MRI 检查确认为腰椎Modic I型改变患者的术中病灶椎间盘标本,进行免疫组化检测,并观察椎间盘组织病理变化及炎症因子的表达,IL-6、IL-8 相对表达水平以相对表达量△Ct 或(2-△Ct×104)进行分析。结果 Modic I型终板中TNF-α表达水平(9.2±0.7)高于髓核(7.2±0.5),差异有统计学意义(P<0.05);髓核中△Ct IL-6、△Ct IL-8 相对表达量(6.34±1.82、10.62±1.88)高于终板(4.07±1.86、5.92±1.31),差异均有统计学意义(均P<0.05)。结论 Modic I型终板中TNF-α、IL-6、IL-8的表达水平明显高于髓核,其引起下腰痛的原因主要为终板的炎症改变。  相似文献   
56.
以2-氨基-4-噻唑乙酸乙酯(EATA)和氯化镉水合物为原料,在无水乙醇和乙醇-水混合物两种溶剂中分别合成了配合物[CdCl2(EATA)]n(1)和[CdCl2(EATA)2](2),并利用X-射线单晶衍射、元素分析、红外光谱和荧光光谱对它们进行了表征。配合物1和2都属于单斜晶系,分别为P21/c和Cc空间群,它们的中心金属离子Cd2+均为扭曲的六配位八面体构型。在配合物1中,相邻的2个八面体单元通过2个μ2-Cl-阴离子双桥连形成一维链结构,该一维链进一步通过N-H…Cl分子间氢键形成了三维网络结构,而配合物2则通过大量的N-H…Cl和C-H…Cl分子间氢键等弱作用组装成二维超分子结构。固态荧光光谱分析表明,配合物1和2荧光性质相似,均可归属于由配体到金属间的电荷转移(LMCT)。  相似文献   
57.
采用浸渍法合成了纳米钛硅TS-1沸石负载的钼系列多金属氧酸盐(POM)复合催化剂,采用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、固体紫外漫反射(UV-Vis)、X-ray粉末衍射(XRD)、氮气吸附脱附(BET)、31P和29Si魔角核磁共振(MAS-NMR)等对催化剂的结构进行表征。 研究结果表明,在低温焙烧或烘干条件下,负载后催化剂多酸的结构保持,钼酸铵高温(550 ℃)焙烧后转变为三氧化钼。 以有机硫化物噻吩(TH)、苯并噻吩(BT)和二苯并噻吩(DBT)的正辛烷溶液为模拟油品评价了催化剂的氧化脱硫性能。 实验结果表明,纳米TS-1沸石载体上不同结构多酸作为脱硫催化剂对硫化物的脱除活性顺序为:Keggin型Mo-POM>Anderson型Mo-POM>Dawson型Mo-POM>Mo-金属氧化物。以上述负载的多酸为催化剂,在反应条件为:V(模拟油)=V(乙醇)=10.0 mL,m(催化剂)=0.2 g,n(H2O2)∶n(S)=10∶1,温度60 ℃,硫化物按照由易到难的脱除顺序为TH>DBT>BT,与常规的TS-1沸石或者多酸催化剂的脱除顺序存在明显差异。 这是纳米TS-1沸石对于有机硫分子氧化反应的择形效应和POM催化氧化脱硫的电子云密度影响综合作用的结果。 Keggin型Mo-POM催化剂具有良好的循环使用性能,是一类制备方法简单、催化活性高且稳定性好的绿色环保型催化剂。  相似文献   
58.
么冰  黄子玉  佟奕  陈艳 《化学教育》2020,41(18):44-47
设计了一个综合性实验,将荧光稀土液晶高分子防伪膜的制备和现代分析测试技术应用于高分子专业的教学实验中,以提高学生的综合实践能力。实验包括荧光稀土液晶高分子的制备、表征、防伪性能评价3大部分。采用FTIR、荧光光谱仪、POM、XRD、TG表征荧光稀土液晶高分子的结构与性能;制备荧光稀土液晶高分子防伪膜对其防伪性能进行评价,给整个实验增添趣味性与实用性。通过开设该实验,可让学生了解功能高分子的前沿知识及现代分析测试技术的基本原理和用途,掌握专业的实验操作与数据处理方法,提高学生的综合实践能力和专业素质。学生实验证明该综合实验适用于本科实验教学。  相似文献   
59.
金伟  凌永顺  路远  同武勤  杨丽 《发光学报》2007,28(5):792-797
为了避免早期无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的一些缺陷,如:"串扰"和"交叉"效应以及电路连接比较复杂,用两种方法实现了基于飞利浦公司生产的LPC2210控制芯片和晶门科技公司的SSD1339驱动芯片的驱动控制电路。首先介绍了有机电致发光器件的结构和发光原理以及芯片SSD1339和LPC2210的主要的特点;分析和比较了SSD1339的8080系列并行口和LPC2210外部存储控制单元的读写时序;分别利用LPC2210的通用输入输出单元和外部存储控制单元,成功的控制SSD1339驱动128RGB×128点阵有机电致发光屏。实验结果表明:两种方法不仅可以有效地克服早期驱动控制电路的缺陷,而且可以使有机电致发光屏显示出高质量的图片;用外部存储控制单元实现的驱动控制电路,可以实现约80 Hz的驱动帧频;而使用通用输入输出单元实现的驱动控制电路,可以单步跟踪数据的传输,因此它具有方便查错的优势。本次实验为在不同的集成环境下无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的设计奠定基础。  相似文献   
60.
概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号