Full counting statistics of transport electrons through a two-level quantum dot with spin–orbit coupling

We study the full counting statistics of transport electrons through a semiconductor two-level quantum dot with Rashba spin–orbit (SO) coupling, which acts as a nonabelian gauge field and thus induces the electron transition between two levels along with the spin flip. By means of the quantum master equation approach, shot noise and skewness are obtained at finite temperature with two-body Coulomb interaction. We particularly demonstrate the crucial effect of SO coupling on the super-Poissonian fluctuation of transport electrons, in terms of which the SO coupling can be probed by the zero-frequency cumulants. While the charge currents are not sensitive to the SO coupling.     

激光能量对反钙钛矿GaCMn_3薄膜结构与物性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

ADS7822及其在CO气体浓度监测仪中的应用

在介绍TI公司的12位串行、高速、微功耗A/D转换器ADS7822工作原理的基础上,以ADS7822在CO气体浓度监测仪的前向通道设计中的应用为例,讨论了它与AT2051单片机的硬件接口问题,给出了利用ADS7822进行A/D转换的51汇编语言程序,并做了详细注释.串行、微功耗及小型封装使ADS7822非常适合电池供电的智能便携式仪器采用.     

异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。     

利用正则化方法求解浅海声波散射问题

讨论了浅海中波导的声波散射问题，我们将该问题归结为一个第一类边界积分方程，利用正同化方法求解，并证明了该方法的收敛性，数值例子表明了该方法的简单与有效性。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。