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Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma
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Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma (ICP) at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10:1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser. 相似文献