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151.
为提高修正的常数模算法(MCMA)的收敛速度,进一步降低算法的剩余均方误差,提出了3种改进的盲均衡算法,既保留了MCMA算法载波恢复的功能,又不同程度地提高了MCMA算法的收敛速度。最后通过水声信道仿真,对这些算法的性能进行了验证和比较。  相似文献   
152.
论述一种新型水下运动目标信号源电路的设计与工程实现。工程中,选用单片机89C52和8279,复杂可编程逻辑器件(CPLD)将晶振频率分频,模拟电路产生噪声信号,开发了一个实用性强、功能扩展灵活、信号参数可调的低频信号源,经D/A转换和功率输出,送到换能器输出。其波形参数:频率、脉宽、周期、幅值均可键盘设置。  相似文献   
153.
一种新的基于模糊聚类和免疫原理的入侵监测模型   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陶新民  陈万海  郭黎利 《电子学报》2006,34(7):1329-1332
本文提出了一种新的基于模糊聚类和免疫原理相结合的入侵检测模型,同时文章中对RPCL算法进行了改进,克服了原有RPCL算法中不同变量量纲以及变量相互间相关性对算法性能的影响,同时解决了原有算法对初始分类数敏感的不足.利用改进后的RPCL算法解决了模糊聚类中分类个数不确定的问题,最后利用遗传算法进行半径的最优调整形成非正常子空间的特征函数.最后给出试验结果并进行了分析.  相似文献   
154.
通过对当前数据广播中存在的问题和DVB传输协议的分析,提出了基于对象轮播的数据广播资讯系统从发送端到接收端的解决方案,并阐述了整个系统的设计思路、发送端与接收端的软件结构及其具体实现过程.  相似文献   
155.
李勇  许永生  赖宗声  金玮  陶永刚  洪亮  景为平   《电子器件》2006,29(3):701-705
本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点。作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能。通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度。同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗。采用0.8μm BiCMOS模型在Cadence SPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4GHz,功耗为-1.61dBm。  相似文献   
156.
用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45~50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。  相似文献   
157.
卷积神经网络的语义分割模型未有效利用特征权重信息,导致在医学图像复杂场景中分割边界出现欠分割现象.针对该问题,基于融合自适应加权聚合策略提出一种改进的U-Net++网络,并将其应用于电子计算机断层扫描影像肺结节分割.该模型首先在卷积神经网络中提取出不同深度特征语义级别的信息,再结合权重聚合模块,自适应地学习各层特征的权...  相似文献   
158.
SO2-4对铁基催化剂上费托合成反应的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
以FeCuK/SiO2为母体催化剂,用不同浓度的NH4HSO4水溶液进行等体积浸渍,制备了不同SO2-4含量的费托合成(FTS)铁基催化剂.采用原子发射光谱、低温N2吸附、 X射线光电子能谱、程序升温还原和穆斯堡尔谱等技术对催化剂进行了表征,并在H2/CO摩尔比0.67,WHSV=2 000 h-1,压力1.5 MPa和温度250 ℃条件下进行了浆态床FTS反应.结果表明,少量SO2-4能促进催化剂在H2中的还原;在合成气还原过程中,少量SO2-4对催化剂的碳化程度影响不大,但大量SO2-4严重抑制催化剂的碳化.在约500 h的运行实验中,各催化剂样品表现出的催化活性有所差异,但均呈现较好的稳定性.SO2-4可抑制水煤气变换反应活性,且随着SO2-4含量的增加,抑制作用愈加明显;同时,催化剂上浸渍少量SO2-4可有效抑制CH4的生成,提高低碳烯烃的选择性.  相似文献   
159.
陶小红  陈洁 《电光与控制》2007,14(1):99-101
利用GPS测得激光预定反射方向上某目标的三维坐标,转化成相对平面反射镜中心的方位角与俯仰角,通过控制平面反射镜的法线方向达到反射激光到达预设目标的目的.结果表明该方法简单、容易实现并且精度较高.  相似文献   
160.
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能.  相似文献   
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