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41.
在毫米波产品设计中,芯片的安装方式及连接路径是影响产品性能的一个重要因素.目前的手工操作方法不能满足高性能产品设计的需要,同时也是批量化生产的工艺技术瓶颈.介绍了一种新型的在电路基片上制作芯片安装槽的激光开槽工艺技术.对机械透铣和激光蚀刻两种工艺技术进行了比较.通过研究和试验,确定了激光设备的工艺参数,在电路基片上制作出精确的芯片安装槽.经应用表明,芯片安装缝隙达到了0.1mm的水平,在键合引线处产生的插损和驻波显著降低.这种技术大幅提高了毫米波产品的装配成品率和生产效率,减小了键合引线引起的寄生效应影响,保证了毫米波产品的设计需要. 相似文献
42.
43.
陶景升 《光纤与电缆及其应用技术》2008,(4)
在线缆制造过程中,线缆护层的挤出占据了十分重要的地位.线缆护层挤出方式以及挤出模具对挤出护层质量至关重要.目前挤出方式有很多种,但都是由三种基本挤出方式单独作用或组合而成.介绍了线缆的三种基本挤出方式的优缺点及其适用范围,以及挤出模具的设计原理,给出了部分材料的拉伸比和拉伸平衡比.并以挤管式模具设计为例,详细介绍了模具设计方法及其相关典型参数,最后简要介绍了模具的装配规则. 相似文献
44.
45.
46.
分析宽频带、双极化、恒束宽四脊喇叭的混合方法 总被引:7,自引:3,他引:7
介绍了作为反射面天线馈源的宽频带、双极化、恒波束四脊喇叭,运用有限元和模式匹配相结合的混合法详细且计算了四脊喇叭的广义散射矩阵。然后运用口面积分计算了四脊喇叭的辐射远场,给出了四脊喇叭和用四脊喇叭做馈源的反射面天线的实测结果。 相似文献
47.
重构算法是压缩感知理论应用于实际的关键。其中 ,近似L0范数算法是通过选取一个 连续的平滑函数近似逼近L0范数,从而将离散的最小化L0范数问题转为平滑函数求最优值问 题。针对现有算法精度不高的缺点,采用了一种逼近程度更高的改进反余切函数族来近 似L0范数,并采用修正阻尼牛顿法求解。该算法结合了近似零范数算法的高收敛性和牛顿法 的高效寻优,获得了精度较高的重构信号。仿真实验表明,在不同压缩比下,该算法在一维 信号重建和二维图像重建的过程中,较SL0算法、NSL0算法和AL0算法的信噪比和重构精度都 有了较大的提升,提高了同等条件下信号恢复的质量,有效地改善了重建效果。 相似文献
48.
负色散镜的设计、制备及在掺钛蓝宝石激光谐振腔内的使用 总被引:1,自引:0,他引:1
根据钛宝石激光器的要求设计了性能优良的两种负色散镜(NDM1和NDM2)。NDM1同时引入啁啾效应和G-T效应产生大的群延迟色散量以减少光在负色散镜上的反射次数。NDM2仅引入G-T效应产生较小的群延迟色散以补偿腔内自相位调制带来的部分啁啾。选用离子束溅射法制备了这两种负色散镜。用分光光度计测试了它们的透射率。结果表明,所制备的负色散镜的性能与设计性能非常接近。使用这两种负色散镜进行掺钛蓝宝石激光谐振腔内色散补偿实现了飞秒脉冲锁模,获得了15 fs的超短脉冲。 相似文献
49.
50.
Zuoquan Jiang Zhongyin Liu Chuluo Yang Cheng Zhong Jingui Qin Gui Yu Yunqi Liu 《Advanced functional materials》2009,19(24):3987-3995
A series of fluorene‐based oligomers with novel spiro‐annulated triarylamine structures, namely DFSTPA, TFSTPA, and TFSDTC, are synthesized by a Suzuki cross‐coupling reaction. The spiro‐configuration molecular structures lead to very high glass transition temperatures (197–253 °C) and weak intermolecular interactions, and consequently the structures retain good morphological stability and high fluorescence quantum efficiencies(0.69–0.98). This molecular design simultaneously solves the spectral stability problems and hole‐injection and transport issues for fluorene‐based blue‐light‐emitting materials. Simple double‐layer electroluminescence (EL) devices with a configuration of ITO/TFSTPA (device A) or TFSDTC (device B)/ TPBI/LiF/Al, where TFSTPA and TFSDTC serve as hole‐transporting blue‐light‐emitting materials, show a deep‐blue emission with a peak around 432 nm, and CIE coordinates of (0.17, 0.12) for TFSTPA and (0.16, 0.07) for TFSDTC, respectively, which are very close to the National Television System Committee (NTSC) standard for blue (0.15, 0.07). The maximum current efficiency/external quantum efficiencies are 1.63 cd A?1/1.6% for device A and 1.91 cd A?1/2.7% for device B, respectively. In addition, a device with the structure ITO/DFSTPA/Alq3/LiF/Al, where DFSTPA acts as both the hole‐injection and ‐transporting material, is shown to achieve a good performance, with a maximum luminance of 14 047 cd m?2, and a maximum current efficiency of 5.56 cd A?1. These values are significantly higher than those of devices based on commonly usedN,N′‐di(1‐naphthyl)‐N,N′‐diphenyl‐[1,1′‐biphenyl]‐4,4′‐diamine (NPB) as the hole‐transporting layer (11 738 cd m?2 and 3.97 cd A?1) under identical device conditions. 相似文献