蒸汽活化对钙基脱硫剂孔结构及固硫能力影响的实验研究

本文用实验方法研究了在电站锅炉排烟温度条件下，水蒸汽对钙基脱硫剂的活化作用．实验结果表明，蒸汽活化使得脱硫剂孔结构发生了显著变化并明显改善了脱硫剂的固硫能力．这为进一步了解活化机理及开发省水，经济的排烟脱硫技术提供了依据．     

Random oscillations in the Van der Pol system under the action of a broadband random process

We construct the second approximation for random oscillations described by the Van der Pol equation which are under the action of a broadband random process. Translated from Ukrainskii Matematicheskii Zhurnal, Vol. 50, No. 11, pp. 1517–1521, November, 1998.     

智能工作站主机的MMPIS实验模型研究──一个全互连式结构MMPIS硬件环境的设计与实现

本文介绍中日国际合作开发研究的Ａ１型智能网（Ａ１型ＩＮ）智能工作站（ＩＷ）主机的并行推理硬件结构的实验模型设计与实现，给出了一种并行推理硬件支持环境实现方案和该方案在实现中若干问题的解决方法。     

压缩迭加态及其特性

压缩迭加态是由迭加态通过压缩系统后产生的一种辐射经典态。这种具备了Ｗｉｇｎｅｒ相空间压缩和相干迭加压缩两种机制。详细讨论了这种压缩迭加态的量子统计性质及压缩特性。     

MIPS/W8位低功耗嵌入式RISC MCU核的设计

介绍了一种8位低功耗嵌入式RISC MSC核的设计.该核采用哈佛结构,三级流水线,单周期指令,指令集与PIC16C57相兼容.本文还对系统结构设计及各单元模块设计进行了分析.     

Viterbi译码器的硬件实现

介绍了一种Vkerbi译码器的硬件实现方法。设计的基于硬判决的Viterbi译码器具有约束长度长（9)、译码深度深（64)的特点。为了兼顾硬件资源与电路性能两个方面，在设计中使用了4个ACS单元，并根据Xilinx Virtex系列FPGA的结构特点．利用FPGA内部的BlockRAM保存汉明距离和幸存路径，提高了译码速度。     

A New Simple Ultrahigh Speed Decoding Algorithm for BCH Code

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｍｏｄｅｒｎｄｉｇｉｔａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｓｏｆｔｅｎｒｅｑｕｉｒｅｅｒｒｏｒ ｆｒｅｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ .Ｅｒｒｏｒｃｏｎｔｒｏｌｃｏｄｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓｂｅｅｎｕｓｅｄｗｉｄｅｌｙｉｎｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ .Ａｎｄｉｔｈａｓｂｅｅｎｉｍｐｒｏｖｉｎｇｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ ｇｒｅａｔｌｙ ,ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｉｎｗｉｒｅｌｅｓｓｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｓ…     

激光调Q CAI

从激光调Q速率方程出发,分析推导了激光调Q过程中,腔内光子数与工作物质内反转粒子数间的关系.再根据激光调Q的过程中,对腔Q值控制方式不同,将激光调Q技术分为:转镜调Q、声光调Q、电光调Q、饱和吸收调Q和脉冲透射式调Q.用C语言进行了激光调Q CAI软件的开发研制,获得了将文学、图形、动画和计算融为一体的,直观而生动地将调Q的理论和过程再现于屏幕的CAI课件.介绍了课件的内容、结构及其特点.     

叶栅全三维粘性反问题的数值解

本文发展了一种解叶栅全三维粘性反问题的新的数值方法.基于非正交曲线坐标与相应的非正交速度分量下完全守恒型的Navier－Stokes方程,全三维反问题规定叶片表面的无量纲压力分布反求叶型。计算中叶片表面的边界条件采用一种特殊的方式来处理，即一方面强加给定的压力分布条件,另方面叶面的几何位置在迭代过程中又是可移动的，其移动速度将与Navier—Stokes方程在当地的解联系起来，从而形成一种解定常问题的新的不定常过程.试算证明了本文方法的可行性。     

The importance of electrochemistry-related etching in thegate-groove fabrication for InAlAs/InGaAs HFETs

For the first time, the surface metal on nonalloyed ohmic electrodes is found to significantly change the profiles of gate grooves, when resist openings are employed to monitor drain current during wet-chemical gate recess for sub-micron InAlAs/lnGaAs heterojunction field-effect transistors (HFETs). The surface metal of Ni enhances the etching rate in comparison with that in the absence of electrodes by a factor of 4 and 10, laterally and vertically, which is favorable to fabricate deep gate grooves with small side etching. The Pt surface metal, however, leads to preferential etching of InGaAs over InAlAs, which can be useful to realize large side etching. The existence of an electrochemistry-related etching component, which arises when the ohmic electrodes are present during recess etching, is considered to be responsible for these behaviors