光纤参量放大器技术及其最新进展

介绍和论述了一种非常有实用前景的基于光纤非线性效应的光参量放大器(OPA)及其最新技术进展．最新发展揭示了它的很多技术特性优于传统的掺铒光纤放大器(EDFA)、半导体光放大器(SOA)和近年来很热门的光纤拉曼放大器(FRA)，如对信号的调制形式、比特率的完全透明性、相位共轭、超宽的增益带宽、很低的噪声指数和具备优异的全光波长转换功能．     

高稳定度和宽电源电压范围晶体振荡器芯片设计

基于0.6μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片。该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源。测试结果表明:芯片最高工作频率可达40MHz;在振荡频率12MHz、负载电容15pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6;电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4mA。     

虚像相位阵列的二维成像原理及其应用

虚像相位阵列（VIPA：virtually-imaged phased array）是一种具有大角度色散的光学器件,利用其大角色散的特性,可以用来制作高分辨率滤波器和色散补偿器。将虚像相位阵列和衍射光栅结合实现二维成像是光谱处理领域的重大进步。从二维成像原理出发,详细介绍其在研制高分辨率和高信噪比的光学滤波器、实现复杂的二维光谱处理以及光谱成像等研究领域的最新应用。     

针对Shellcode变形规避的NIDS检测技术

现今,缓冲区溢出攻击仍是网络上最普遍和有效的攻击方式之一,常见于恶意攻击者的手动攻击以及病毒蠕虫的自发攻击。随着NIDS的发展,普通的缓冲区溢出攻击能够用基于Shellcode匹配的手段进行检测。然而,Shellcode变形技术的出现使缓冲区溢出攻击拥有了躲避NIDS检测的能力。论文在NIDS传统检测技术的基础上,详细研究了Shellcode的各种变形手段,提出了针对性的检测技术,并展望了未来的发展方向。     

光电成像系统与人眼视觉的匹配问题

以电视、激光成像和热成像系统为代表的光电成像系统在军事和民用上有着广泛的用途,但光电成像系统与人眼视觉的匹配问题仍是按现有理论和方法难以准确解释或定量描述的普遍问题。从理论上阐述了此问题的本质,说明了在这种匹配系统中存在系统的最佳匹配,且匹配状态直接影响光电成像系统的总体设计,并对如何描述这种关系进行一些说明和分析。     

NEAX61Σ交换机利用现有的资源提高接通率的两种方式

介绍了灵活运用NEAX61Σ交换机现有的软硬件资源 ,修改adc和rlst数据后能使用语音信箱的有关功能 ,进而提高落地接续接通率的两种方法。     

测量光纤放大器小信号增益谱的一种简便方法

提出了一种用小功率宽带光源较精确测量光纤放大器小信号增益谱的方法。数值模拟表明 ,该方法是完全可行的 ,并且实验结果与数值模拟结果一致。该方法具有简便、易操作的特点。     

Boosting the Charge Transport Property of Indeno[1,2‐b]fluorene‐6,12‐dione though Incorporation of Sulfur‐ or Nitrogen‐Linked Side Chains

Alkyl chains are basic units in the design of organic semiconductors for purposes of enhancing solubility, tuning electronic energy levels, and tailoring molecular packing. This work demonstrates that the carrier mobilities of indeno[1,2‐b ]fluorene‐6,12‐dione ( IFD )‐based semiconductors can be dramatically enhanced by the incorporation of sulfur‐ or nitrogen‐linked side chains. Three IFD derivatives possessing butyl, butylthio, and dibutylamino substituents are synthesized, and their organic field‐effect transistors (OFET) are fabricated and characterized. The IFD possessing butyl substituents exhibits a very poor charge transport property with mobility lower than 10^?7 cm² V^?1 s^?1. In contrast, the hole mobility is dramatically increased to 1.03 cm² V^?1 s^?1 by replacing the butyl units with dibutylamino groups ( DBA‐IFD ), while the butylthio‐modified IFD ( BT‐IFD ) derivative exhibits a high and balanced ambipolar charge transport property with the maximum hole and electron mobilities up to 0.71 and 0.65 cm² V^?1 s^?1, respectively. Moreover, the complementary metal–oxide–semiconductor‐like inverters incorporated with the ambipolar OFETs shows sharp inversions with a maximum gain value up to 173. This work reveals that modification of the aromatic core with heteroatom‐linked side chains, such as alkylthio or dialkylamino, can be an efficient strategy for the design of high‐performance organic semiconductors.     

选择性波峰焊技术在SMT中的应用

选择性波峰焊技术是SMT技术中新兴发展的技术,它的出现较大的满足了高密度多样性混装PCB板的组装要求。选择性波峰焊具有焊点参数单独设置,对PCB热冲击小,助焊剂喷涂量少,焊接可靠性强等优点,正逐渐成为复杂PCB不可或缺的焊接技术。通过查阅大量资料,综述了选择性波峰焊技术的优势和其在SMT领域内的应用及其设备的维护。     

大气中激光烧蚀铝靶冲量耦合系数实验研究

研究了激光与铝靶相互作用过程中,大气中激光功率密度与铝靶获得的冲量耦合系数的关系,通过改变激光聚焦在靶面上的光斑大小,得到冲量耦合系数与激光功率密度的关系。实验结果表明,当入射激光功率密度为3.47×106W/cm2时,铝靶获得的冲量耦合系数最高。该入射激光功率密度最佳值与理论计算值6.14×106W/cm2符合得较好。用激光支持爆轰波(LSDW)与固体靶相互作用的二维模型理论计算得到的冲量耦合系数与实验结果比较,二者趋势相同,定量比较有较大差别,原因是所用激光光斑面积偏大,不能按照该理论的点爆炸模型来计算。