TD-LTE网络规划设计审核平台的研究与应用

本文研究提出了一种基于全生命周期管控的TD-LTE网络规划设计审核平台,实现对TD-LTE网络建设工作的标准化、信息化、规范化、集中化、系统化管理,有效管控TD-LTE无线网络站点从规划需求到开站入网各个环节,良好支撑TD-LTE集中规划设计审核及入网工作.本平台已实现并在实际工作中得以应用,具有良好的应用价值.     

一种基于SPCE061A单片机的燃气炉灶语音控制装置

燃气炉灶的安全使用一直是人们关心的问题,将计算机控制技术引入到燃气炉灶的控制中,是解决燃气炉灶安全使用的最好途径.介绍一种基于SPCE061A单片机为核心,充分利用SPCE061A单片机的语音处理功能,控制功能,实现利用语音提示和语音命令对燃气炉灶的点火、火力调节、关闭燃气、火焰异常熄灭时紧急关闭燃气等功能的控制.经过实验测试,该装置具有工作稳定可靠,对于提高燃气炉灶的安全性,节能降耗等都有明显的效果,将语音控制技术应用于燃气炉灶的控制,填补了该类产品的市场空白,有非常好的市场应用前景.     

基于直接提取载波技术的平方环设计

在采用相位调制的软件无线电接收机中,载波恢复电路起到了关键性作用。研究一种用于通信的载波同步平方环电路,在传统平方环的基础上,增加了一个乘法器,当用FPGA实现数控振荡器（NCO）时,利用输出的正余弦波完全正交的特点,将平方环的频率直接锁定在载波频率上,省去了二分频电路。阐明了其工作的基本原理和设计思想,并给出了在Simulink环境下的结构框图以及仿真波形。通过这样的改进,平方环载波提取电路更为简单,由于锁定频率即为载波频率,因此能够应用于输入信号载波频率更高的环境中,具有更广泛的应用价值。     

车载激光雷达探测低层大气中NO_2

在北京城区和城郊利用第二代车载测污激光雷达(AML-2)进行了外场测量实验,利用差分吸收技术从垂直、水平方向分别给出了低层大气中污染物NO2的典型测量数据。结果表明:城区的NO2浓度明显高于城郊地区的水平,并且也证实了利用该系统可以有效地监测低层大气的污染情况,为空气中有害气体的光学遥测提供了有效的测量手段。     

MOSFET开态热载流子效应可靠性

综述了近年来ＭＯＳＦＥＴ的热载流子效应和可靠性的问题。总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入（ＨＣＩ）引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为ＭＯＳＦＥＴ热载流子效应可靠性研究奠定了基础。     

自动识别数字调制方式的一种方法

提出了一种对经符号成形的数字通信信号进行调制方式自动识别的方案,该方案将数字已调信号的瞬时特征与功率谱特性相结合,设计了一组对信号信噪比不敏感的特征参数。通过提取经升余弦滤波成形的2FSK等六种常用的数字调制信号的5个特征参数,分别采用决策树和神经网络分类器进行调制方式自动识别。仿真表明,当信噪比为11dB时,采用决策树分类器对除2ASK外的5种信号的识别率在95%以上,神经网络分类器此时对所有信号的识别率达到了98%以上,证明了该方案的有效性和可行性。     

一种基于EPF滤波的三维单站无源定位算法研究

利用频率变化率、方位角及俯仰角信息,提出一种对固定辐射源的三维单站无源定位算法。该方法通过质点运动学原理,得出目标辐射源的位置,之后采用EPF滤波算法进行处理,对粗略定位结果进行修正和平滑,逐步估计出目标的位置。EPF（ExtendedParticleFilter）滤波是将EKF（ExtendedKalmanFilter）算法作为重要性函数的一种粒子滤波方法。仿真结果表明,基于EPF滤波的单站无源定位算法比传统的EKF滤波算法收敛更快、更稳定,滤波效果更好,定位精度更高,这对无源定位跟踪算法精度的提高和实际应用有很大的意义。     

基于调谐TEA CO2激光推进的研究

针对大气呼吸模式激光推进,采用可调谐TEA CO2激光器,选取CO2激光光谱中00^01～10^00带和00^01～02^00带中增益较强的四支潜线10P（20）、10R（12）、9P（28）及9R（14）进行了实验研究。实验结果表明,在大气呼吸模式激光推进中,空气的击穿阈值随激光波长的增大而降低．激光波长对飞行器获得的冲量耦合系数没有明显的影响。     

竞争型脉冲耦合神经网络及用于多约束QoS路由求解

在脉冲耦合神经网络的基础上提出了竞争型脉冲耦合神经网络模型,分析了该模型用于求解网络最短路由时的脉冲波传播特性,并提出了脉冲波任务的产生、分解和状态转换理论,在模型中实现了脉冲波的多约束传播,成功地应用于网络多约束QoS路由问题的求解,并可得到全局最优解.仿真实验表明,与其他算法相比,该方法的计算迭代次数最少,且减少较多;而且迭代次数只与网络路由图中源点与目的点之间的最优QoS路由长度有关,而与节点数、链路数和网络的分布构成复杂性无关,体现出较好的计算性能和优势.     

分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.