开关磁阻电机传动技术及其应用

本文主要论述了开关磁阻电机传动技术的工作原理，系统结构和技术性能。介绍了该技术的发展背景、目前的应用情况和国内外发展水平。并对其前景表明了一些看法。     

高精度CCD尺寸自动检测系统的光学系统设计

介绍测量精度为±０．００３ｍｍ的ＣＣＤ尺寸检测系统的光学系统设计特点及远心物镜设计原理，并给出了测试结果。     

自适应有源噪声控制的滤波-LMAD算法

本文研究了稳定非高斯环境下的自适应有源噪声控制问题，提出了滤波－ＬＭＡＤ（ｌｅａｓｔｍｅａｎａｂｓｏｌｕｔｅｄｅｖｉａｔｉｏｎ）算法及归一化滤波－ＬＭＡＤ算法，仿真结果表明，与常用的滤波－ＬＭＳ算法和归－化滤波－ＬＭＳ算法相比，本文提出了算法收敛速度更快。     

一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

Si/SiGe epitaxial-base transistors. I. Materials, physics, andcircuits

A detailed review of SiGe epitaxial base technology is presented, which chronicles the progression of research from materials deposition through device and integration demonstrations, culminating in the first SiGe integrated circuit application. In part I of this paper, the requirements and processes for high-quality SiGe film preparation are discussed, with emphasis on fundamental principles. A detailed overview of SiGe HBT device design and implications for circuit applications is then presented     

MIS型单晶硅液晶光阀

详细介绍了一种新颖、快速响应的金属－绝缘层－半导体构成的MIS型单晶硅液晶光阀的结构、工作机理、制作工艺和性能参数测试。液晶采用45°扭曲向列型混合场效应工作模式。所得到的光阀的极限分辨率为40lp／mm，口径40mm，最大对比度＞100：1，在930nm（△λ＝40nm）写入光灵敏度为20μW／cm2，响应时间为15ms。报道了该光阀在大屏幕投影显示中的应用。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

鱼类耳石扫描电镜样品制备与观察

本文介绍了一种鱼类耳石样品的扫描电镜制样方法，通过对草鱼耳石进行包埋，抛磨，并用合适的腐蚀剂处理，用ＳＥＭ成功地观察了耳石的日轮及超微结构，该方法简便易行，保证所观察耳石样品的微观结构完整与清晰。     

w-DENSITY AND w-BALANCED PROPERTY OF WEIGHTED GRAPHS

§ 1　IntroductionAll graphsconsidered in this paperare finite undirected ones withoutloops ormultipleedges.Our terminology and notation are standard exceptas indicated.A good reference forany undefined terms is[1 ] .Let G be a graph with vertex set V( G) and edge set E( G) .The density of G is definedbyd( G) =ε( G)ν( G) ,whereν( G) andε( G) denote| V( G) | and| E( G) | ,respectively.G is said to be balanced iffor each subgraph H of G we have d( H )≤ d( G) ,where V( H ) is assum…