全文获取类型
收费全文 | 29878篇 |
免费 | 5002篇 |
国内免费 | 6700篇 |
专业分类
化学 | 12019篇 |
晶体学 | 853篇 |
力学 | 1303篇 |
综合类 | 575篇 |
数学 | 2335篇 |
物理学 | 8884篇 |
无线电 | 15611篇 |
出版年
2024年 | 157篇 |
2023年 | 422篇 |
2022年 | 1149篇 |
2021年 | 1120篇 |
2020年 | 1013篇 |
2019年 | 898篇 |
2018年 | 856篇 |
2017年 | 1328篇 |
2016年 | 1003篇 |
2015年 | 1474篇 |
2014年 | 1811篇 |
2013年 | 2258篇 |
2012年 | 2376篇 |
2011年 | 2557篇 |
2010年 | 2613篇 |
2009年 | 2606篇 |
2008年 | 2779篇 |
2007年 | 2574篇 |
2006年 | 2497篇 |
2005年 | 2079篇 |
2004年 | 1583篇 |
2003年 | 1165篇 |
2002年 | 964篇 |
2001年 | 1005篇 |
2000年 | 1005篇 |
1999年 | 466篇 |
1998年 | 241篇 |
1997年 | 181篇 |
1996年 | 175篇 |
1995年 | 137篇 |
1994年 | 141篇 |
1993年 | 144篇 |
1992年 | 167篇 |
1991年 | 67篇 |
1990年 | 86篇 |
1989年 | 68篇 |
1988年 | 84篇 |
1987年 | 56篇 |
1986年 | 45篇 |
1985年 | 37篇 |
1984年 | 37篇 |
1983年 | 42篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 24篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 30篇 |
1978年 | 6篇 |
1977年 | 4篇 |
1971年 | 4篇 |
1959年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
102.
103.
104.
综述了无毒海洋防污剂研究进展,从防污活性、机理、特点及应用等方面着手介绍了近年来开发的几种新型无毒天然产物防污剂和人工合成防污剂,并就其发展前景进行了展望;指出开发研制无毒海洋防污剂是海洋防污技术的发展方向之一. 相似文献
105.
采用湿法对沾化冬枣叶茶样进行消化处理,利用火焰原子吸收光谱法测定了茶中K、Na、Ca、Mg、Fe、Mn、Cu、Zn的含量.结果表明,该法的加标回收率为95.2%~104.2%,RSD≤3.35%.该法操作简单,结果准确,为开发和利用冬枣叶茶提供了一定的科学依据. 相似文献
106.
用二甲基胺取代 烃基膦酸树脂对钆的吸附行为进行研究,试验结果表明,在pH4.90时,树脂对钆的静态饱和吸附容量为219mg·g-1(树脂);用2mol·L-1HCl可以定量洗脱;表观吸附速率常数k298=1.81×10-4s-1,测得吸附热力学参数分别为:ΔH=77.46kJ·mol-1,ΔG=-32.417kJ·mol-1,ΔS=368.69J·mol-1·K-1;等温吸附服从Frenndlich曲线;树脂功能基与Gd(Ⅲ)的配位比为2∶1;并用红外光谱探讨了树脂与钆的成键情况。 相似文献
107.
物理老化无规聚苯乙烯屈服机理的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用机械拉伸、示差扫描量热(DSC)以及溶剂溶胀等方法研究了物理老化后的无规聚苯乙烯(α-PS)的应力屈服行为,并从凝聚缠结的观点对实验结果进行了解释.实验结果表明,经物理老化后的α-PS在拉伸过程中出现应力屈服峰实质上是逐步打开凝聚缠结的过程.凝聚缠结是聚合物非晶相在物理老化过程中相邻的两三条链的局部链段由于范德华吸引力的作用形成的一种有序结构,其作用能很弱,升温至Tg附近,机械拉伸至屈服点以及溶胀剂都可将其完全破坏. 相似文献
108.
以2-巯基乙磺酸钠为配体,2,2'-联吡啶,4,4'-联吡啶为辅助配体,与硝酸铜反应,得到一种一维链状配位聚合物 [CuL(4,4'-bipy)(2,2'-bipy)H2O]n (L=-O3S-CH2-CH2-S-S-CH2-CH2-SO-3),通过元素分析、红外光谱对其进行了表征,并用X射线衍射测定了其结构.结果表明:该配合物属于单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数为:a=0.8385(2) nm,b=1.3764(3) nm,c=2.1719(5) nm,β = 93.391(3) °,V = 2.5023(10) nm3,Z = 4. 相似文献
109.
110.
半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展 总被引:8,自引:7,他引:8
就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展,进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应,指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议,因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术,以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上,为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据. 相似文献