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智能家居是21 世纪最重要的新兴产业.这是在融合了大量自动化技术、网络通讯技术和传感器技术的基础之上发展起来的.由于连接设备多,相互之间信息耦合强度大,智能家居的系统构成和通讯方式正在趋于复杂化.智能家居技术总体上划分为两个层面:一是家居生活过程的自动化,二是家居生活的感知学习及对生活需求的智能响应.这两方面的技术实现通常独立于家居设备存在,但又必须和所有家居设备进行通讯互联,构成一类智能控制的技术平台.其中包括可扩展的功能设计空间及可组态的人机交互环境,随时适应家居生活需求的变化.在云计算、云控制和云服务技术快速发展的今天,连接云环境的智能家居技术的发展也是指日可待的. 相似文献
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激光熔覆Ni基B4C合金涂层的组织与性能研究 总被引:7,自引:0,他引:7
利用5kW连续波CO2激光器对16Mn钢基材表面预置的含20 vol%B4CP的Ni基合金复合粉末进行激光熔覆得到Ni基B4C合金涂层(NiB4c),研究了NiB4c涂层的组织形貌与相组成,并用单纯的镍基合金涂层(Ni60)进行了显微硬度及滑动磨损性能的对比试验。结果表明,NiB4C涂层由涂层下部的胞状晶和涂层中上部的树状枝晶及其间的共晶组织所组成,其组成相为γ-Ni,γ-(Ni,Fe)固溶体和(Cr,Fe)7C3,CrB,Ni3B,Fe2B,Fe23(C,B)6等化合物,涂层中存在未熔的B4C颗粒。激光熔覆NiB4c涂层比Ni60涂层具有较高的硬度和耐磨性,并分析了NiB4C涂层的强化机理。 相似文献
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A low-cost broadband millimetre-wave planar 30/spl times/30 array antenna is presented. The antenna is fed by a microstrip feed network in the H-plane to decrease fabrication costs, and a waveguide feed network in the E-plane to reduce the feed line loss. The waveguide and microstrip feed network are coupled through the proposed slot pair. The slots are placed one quarter of a guided-wavelength distance apart, so that the reflected waves from the slots cancel each other. A conductive bar is laid above the slots to increase the coupling, which increases the antenna gain by about 1 dBi. The maximum gain is 30.5 dBi at 41.5 GHz. The measured bandwidth is as broad as 7.1%. 相似文献
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产业集群与产业、产品一样也存在生命周期。本文通过对产业集群生命周期的各阶段进行分析,简述了其各阶段的特征及表现。进而提出政府在各阶段中所处位置与应采取的措施。 相似文献
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Yee-Chia Yeo Qiang Lu Ranade P. Takeuchi H. Yang K.J. Polishchuk I. Tsu-Jae King Chenming Hu Song S.C. Luan H.F. Dim-Lee Kwong 《Electron Device Letters, IEEE》2001,22(5):227-229
We report the first demonstration of a dual-metal gate complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology using titanium (Ti) and molybdenum (Mo) as the gate electrodes for the N-metal oxide semiconductor field effect transistors (N-MOSFETs) and P-metal oxide semiconductor field effect transistors (P-MOSFETs), respectively. The gate dielectric stack consists of a silicon oxy-nitride interfacial layer and a silicon nitride (Si3N4) dielectric layer formed by a rapid-thermal chemical vapor deposition (RTCVD) process. C-V characteristics show negligible gate depletion. Carrier mobilities comparable to that predicted by the universal mobility model for silicon dioxide (SiO2) are observed 相似文献
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