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Shi-Jin Ding Hang Hu Lim H.F. Kim S.J. Yu X.F. Chunxiang Zhu Li M.F. Byung Jin Cho Chan D.S.H. Rustagi S.C. Yu M.B. Chin A. Dim-Lee Kwong 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(12):730-732
For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications. 相似文献
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用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。 相似文献
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自由电子激光的预群聚 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了自由电子激光预群聚产生的辐射,表明预群聚不仅可以提高效率而且使低增益得到增强,从而在理论上解释了由射频直线加速器驱动的自由电子激光预群聚器(prebuncher)的作用。同时还指出,预群聚有在不增加电子束能量情况下缩短激光波长和降低对电子束质量要求等作用。 相似文献
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采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
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采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响. 相似文献