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142.
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要. 相似文献
143.
Wen Bin CUI Jie ZHOU Lei CHEN Xiao Bin DENG Chun GUO 《中国化学快报》2006,17(8):999-1001
Metal porphyrins are natural antioxidant reagent1-3. However, due to the characteristics of structures, they are only soluble in inorganic acids and part of polar organic solvents. Thus, it is limited to be used as effective pharmaceutical preparations. T… 相似文献
144.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
145.
146.
147.
介绍了利用科研项目和科研成果,将最新技术与成果向实践性环节转化,开设高水平系列化的综合型,设计型实验的一些做法,并总结了科研成果向实践性环节转化过程中的一些社会。 相似文献
148.
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150.
在用单纯形方法解线性规划的问题时,不可避免会出现退化情况,而某些退化情况会导致循环。目前采用的避免循环的方法一共有两类:传统的摄动法(字典序)和Bland方法。本分析了传统摄动法的一些不足,给出了一种新的摄动法。 相似文献