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101.
Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
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107.
多孔硅发光机制的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。 相似文献
108.
本文研究分组交换数据网与ISDN互连的性能分析,文中考虑了分组肉与窄带ISDN和宽带ISDN互连时信关所应完成的功能,分别给出了两种情况下的信关排队模型;在信关存储容量分别为有限和无限的情况下,对两种模型进行了求解,给出了阻塞概率和平均延迟的表达式。对于与B-ISDN互连的情况,提出了用开关确定性过程来描述输出排队的分组到达流,并提出了一种小时隙方法分析SDP/D/1排队。 相似文献
109.
Voigt线型的微分消卷积 总被引:2,自引:1,他引:1
通过频域内的近似处理得到了洛仑兹线型微分消卷积的实用算符。推广到高斯、洛仑兹线型的复合情形即Voigt线型,亦可得到它的消卷积算符。把所得算符应用于单峰、多峰情形,对各种不同的组合形式,分别得到了消卷积谱,其分辨率提高因子K与复合线型中洛仑兹成分的多少有关。 相似文献
110.
K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:4,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献