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171.
Detection of COCl2, a highly toxic gas in chemical industry, using laser photoacoustic spectroscopy is presented. The spectrophone system used has a broad band LN2 cooled CW CO laser as a source of radiation, which operates from 4.8–8.4 um in the mid-infrared. Using an extracavity open longitudinal resonant cell, absorption signals to about 30 CO laser lines in the 5.45 um region could be observed. detection sensitivity has been estimated to be ppb order.This work has been supported by the NSFC  相似文献   
172.
微微秒超短脉冲的光学压缩   总被引:2,自引:1,他引:1  
段春立  赵庆春 《光学学报》1991,11(5):90-395
在研究了短光纤(L~L_w)中受激喇曼散射的斯托克斯脉冲对基波脉冲能量箝位效应的基础上进行了脉冲压缩实验。以高泵浦功率(P=1600W)注入长度为8.95m绿光单模光纤中,采用双光程的光栅对压缩结构,并引入空间频率窗口滤除自相位调制光谱的非线性啁啾部分,将40ps的锁模Nd:YAG倍频光脉压缩至<5ps。  相似文献   
173.
174.
The Randi? index R(G) of a (chemical) graph G is also called connectivity index. Hansen and Mélot [Variable neighborhood search for extremal graphs 6: analyzing bounds for the connectivity index, J. Chem. Inf. Comput. Sci. 43 (2003) 1-14] in their paper, characterized the chemical trees of given order and number of pendent vertices which have the minimum and maximum Randi? index, respectively. In this note, we point out the mistakes in the proofs of their results Theorems 8 and 10, while we still believe that the two theorems are true, and then we give their corrected proofs.  相似文献   
175.
本文研究了带跳的非线性随机微分方程Lyapunov指数的估计,在适当的条件下,确定其Lyapunov指数q的值.对于给定的步长h,考虑此微分系统的Euler离散化模型,给出了的理论误差估计.  相似文献   
176.
采用基于识别的分割方法进行手写数字串分割.在识别的过程中,运用反例样本估计分类器参数,实验数据表明,这种运用反例样本训练的分类器与没有经过反例样本训练的分类器相比,将提高拒识率到19%左右,从而保证了较高的识别率,验证了只有经过反例训练的分类器的输出结果才是可信赖的.  相似文献   
177.
The method of equivalent variational methods, originally due to Carathéodory for free problems in the calculus of variations is extended to investigate boundary value problems for a class of second order differential equations on the half-line. Some applications are presented to illustrate the potential of this method.  相似文献   
178.
179.
用CuBr脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣8例21个区域,其中11个区红色完全褪去,7个区残留少量浅色,3个区红色明显褪去,20个区域无疤痕形成。  相似文献   
180.
讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。  相似文献   
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