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271.
272.
2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
273.
本文介绍了ISDN用户一网络接口的管理模型,分析了PBX、X.25网关的管理功能,对协议测试,管理通信进行了研究并提出模型及实现原则。 相似文献
274.
微波BJT超宽带低噪声放大器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。 相似文献
275.
小孔矩形腔体屏蔽特性的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出了有孔腔体远、近场电磁屏蔽效能的计算方法,体研究了矩形腔体的屏蔽特性,讨论了各类孔对屏蔽能的影响程度。数值结果表明,理论计算与实验数据吻合较好。 相似文献
276.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多. 相似文献
277.
提出了一种相似度的新定义,使双极WAT模型的实现更加简洁明了。增加一个阈值使系统能判别非存储模式或因其信息量过低而无法鉴定的输入模式,阈值的大小与要求的容错能力有关。双极相似度及阈值通过光学方法实现。阈值的光学实现使系统仍具有照明不变性。通过电路实现取及WTA网络的迭代运算。 相似文献
278.
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。 相似文献
279.
280.
介质加载圆柱腔的场分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文应用严格场匹配法解决了介质加载圆柱腔的本征问题,计算了圆柱腔在纵向部分填充介质后TE01n模和TM01n模的本征频率和本征场型的变化。特别分析了本征模式在空气段为截止模的情况。本文的分析方法亦可应用到纵向部分填充介质的传输线和其它形状的谐振腔。 相似文献