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201.
202.
IPv4到IPv6的渐进式的演化过程中,必然会出现IPv4I、Pv6双协议长期共存的过渡时期,而如何解决不同协议栈通讯时的访问控制问题已经成为IPv4/IPv6互连环境的安全问题中的基本问题。本文分析了一种基于翻译机制的IPv4/IPv6安全网关中包过滤的处理流程,并采用规则树方式描述其基于状态的包过滤混合策略,方便规则管理的同时,提高了匹配效率。 相似文献
203.
SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素. 相似文献
204.
205.
为提高薄膜电池对光的捕获能力, 将平面硅薄膜电池制 作成矩形空芯波导结构,对其太阳光注入方式、光捕获能力和光-电转换效能进行了理论和 实验探讨。基于 多层膜反射理论和波导反射模型对波导电池光捕获效果的预测表明,波导电池能够将入射光 限制在空芯结 构内多次反射和吸收,具有较平面电池更高的光捕获能力。测定了不同平行光束在不同入射角度 下平面和波导 电池的光捕获功率和光-电转换效能的结果表明,波导电池对入射光功率近似全部捕获,其 光-电功率转换效能 较对应的平面电池有3~5倍的提升。对不同截面尺寸和长度的单结空芯波导电池光捕获率 进行了计算,提 出从电池膜层结构和空芯几何尺寸参数优化硅薄膜矩形空芯波导电池的思路,通过优化有 望实现用小于多结平面电池外形尺寸的单结空芯波导电池达到更好的光捕获效果。 相似文献
206.
EDTA对KDP晶体光学性质影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文探讨了不同掺杂浓度下,EDTA对KDP晶体光学性质的影响。结果表明,高浓度EDTA的KDP晶体光散射有明显的影响,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。 相似文献
207.
电子散斑干涉中相移技术研究 总被引:12,自引:2,他引:12
本文介绍了电子散斑干涉(ESPT)原理、相移技术方法。针对散斑条纹图中高频项对于相位计算的干扰,对相移算法提出了2种修正的方法。对简支梁进行了位移场的测量,并与有限元(FEM)计算结果进行对比,证明了改进的相移技术在ESPI中是可靠的。 相似文献
208.
硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
为实现OEIC的全Si化,以适应稀土Er发光的宽带隙半导体材料。研究了C-Si基底上注C形成微晶碳化硅(μc-SiC)的途径。经高浓度注C,在1100-1000℃2h退火,经X-ray与Raman测试证明可以获得μc-SiC结构。因为在宽带隙μc-SiC中能量回传很少,故对Er在波长1.54μm的室温光致发光是有利的。 相似文献
209.
210.
嵌入式导航系统中路径分析的优化 总被引:1,自引:0,他引:1
由于嵌入式计算机受到硬件资源的限制,特别是芯片速度的限制,若在车载导航系统中采用通用算法进行路径分析,则会使得分析很低效,耗时很长,尤其对大跨度,更加难以忍受。针对该问题,提出了3个优化路经分析的方法,即分层分析方法、经验数据方法和优化搜索算法,并给出了双向搜索算法和使用启发信息的方法。通过实验证实了这几种方法能有效地提高路径分析速度,大大提高嵌入式导航产品的实用性。 相似文献