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101.
Kinetics of vapor phase hydrogenation of phenol to cyclohexanone over Pd/MgO system has been studied in a flow microreactor under normal atmospheric pressure. The reaction rate is found to be negative order with respect to the partial pressure of phenol and has increased from −0.5 to 0.5 with increasing temperature (473 to 563 K). The apparent activation energy (Ea) of the process is found to be close to 65 kJ per mol. On the basis of kinetic results a surface mechanism is proposed.  相似文献   
102.
A monitoring of tool wear in different cutting operations has been studied for many years. Special techniques have been used to detect a wear status basing upon cutting forces, acoustic emission, temperature, torque and power, vibration, noise and acceleration sensors. The adapting of a proper prediction method allows to solve problems of an automatic supervision in Computer Integrated Manufacturing systems. A task of the abrasive edge wear index prediction can be formulated as follows: disposing by the data collection of the edge wear status in a time period preceding the concerning the wear status in the successive time period embraced by the prediction method.  相似文献   
103.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
104.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
105.
1.IntroductionAbsolutedistancemeasurementisfarfromanewtopic.However,itisstillafieldstimulatinggreatinterestsnowadaysduetoitSimportantroleinmanufacturingandassembly['J.SincethegreatsuccessachievedbyMichelsonandBenoitwhentheyfirstdevelopedaninterferometertodeterminethestandardmeterintermsofthemonochromaticredcadmiumline,theopticinterferometerhasbeenprovedtobeoneofthemostpreciseandefficientwayindisplacementmeasurementbecauseofitshighdiscriminationandsimplestructure.However,thetraditionalinterfe…  相似文献   
106.
报道了5种新的α,α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛化合物的NMR谱,初步探讨了分子结构对化学位移的影响.  相似文献   
107.
织构C60薄膜的生长与光致发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈光华  张阳  严辉 《物理学报》1997,46(7):1375-1379
用Hot Wal方法,在氟金云母单晶上生长出了(111)织构的C60薄膜.用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C60薄膜的结晶质量和结构特性.测量了织构C60薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱.对所得结果进行了分析与讨论 关键词:  相似文献   
108.
金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
陈光华  张兴旺  季亚英  严辉 《物理学报》1997,46(6):1188-1192
用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词:  相似文献   
109.
The biased percolation model is proposed for investigating device degradation and failure associated with the generation of defects due to local Joule heating. The degradation processes of a thin conducting or semiconducting film is monitored by a set of relevant indicators, such as: the evolution of damage pattern, the current distribution, the film resistance and its fluctuations, the defect concentration, the film lifetime, etc. The conductor-insulator (CI) and conductor-superconductor (CS) like degradation processes are considered. The results can be used to propose non-destructive indicators to test the reliability of samples and to interpret the corresponding experiments.  相似文献   
110.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
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