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101.
Nagendranath Mahata V. Vishwanathan 《Journal of molecular catalysis. A, Chemical》1997,120(1-3):267-270
Kinetics of vapor phase hydrogenation of phenol to cyclohexanone over Pd/MgO system has been studied in a flow microreactor under normal atmospheric pressure. The reaction rate is found to be negative order with respect to the partial pressure of phenol and has increased from −0.5 to 0.5 with increasing temperature (473 to 563 K). The apparent activation energy (Ea) of the process is found to be close to 65 kJ per mol. On the basis of kinetic results a surface mechanism is proposed. 相似文献
102.
A monitoring of tool wear in different cutting operations has been studied for many years. Special techniques have been used to detect a wear status basing upon cutting forces, acoustic emission, temperature, torque and power, vibration, noise and acceleration sensors. The adapting of a proper prediction method allows to solve problems of an automatic supervision in Computer Integrated Manufacturing systems. A task of the abrasive edge wear index prediction can be formulated as follows: disposing by the data collection of the edge wear status in a time period preceding the concerning the wear status in the successive time period embraced by the prediction method. 相似文献
103.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
104.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
105.
WANG Zhong HONG Haitao XIAO Hai SUN Changku MENG Yan YE Shenghua 《Chinese Journal of Lasers》1997,6(5):435-440
1.IntroductionAbsolutedistancemeasurementisfarfromanewtopic.However,itisstillafieldstimulatinggreatinterestsnowadaysduetoitSimportantroleinmanufacturingandassembly['J.SincethegreatsuccessachievedbyMichelsonandBenoitwhentheyfirstdevelopedaninterferometertodeterminethestandardmeterintermsofthemonochromaticredcadmiumline,theopticinterferometerhasbeenprovedtobeoneofthemostpreciseandefficientwayindisplacementmeasurementbecauseofitshighdiscriminationandsimplestructure.However,thetraditionalinterfe… 相似文献
106.
107.
108.
109.
The biased percolation model is proposed for investigating device degradation and failure associated with the generation of defects due to local Joule heating. The degradation processes of a thin conducting or semiconducting film is monitored by a set of relevant indicators, such as: the evolution of damage pattern, the current distribution, the film resistance and its fluctuations, the defect concentration, the film lifetime, etc. The conductor-insulator (CI) and conductor-superconductor (CS) like degradation processes are considered. The results can be used to propose non-destructive indicators to test the reliability of samples and to interpret the corresponding experiments. 相似文献
110.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献