激光器中压气体风冷系统的实验研究

本文通过模拟传热模型,建立起激光器风冷系统的换热基本方程式.分析指出:仅当热阻主要集中于光泵浦——冷却质一侧时,增加循环工作物质密度才有提高换热效果、减小流动阻力、降低风机耗功的明显效果.在此基础上研制成功重复率为10c/s,热耗散功率200W的激光器中压气体封闭循环风冷系统.实验研究所用气体压力P、流速W、壳体外壁侧热阻等诸因素对冷却效能影响的结果亦与分析结论一致.     

60 A GeV?16 O诱发乳胶核反应慢粒子产生研究

对60AGeV^16O诱发乳胶核反应靶核碎片多重数分布及其关联进行了实验研究,并与FRITOF1．7加级联机制模型和DIUNUC2．0模型计算结果进行了比较／。     

具有时变滞后的随机系统的时滞依赖鲁棒稳定性与H_∞分析

研究具有时变滞后与Markov跳跃的随机系统的鲁棒随机稳定性与H_∞分析.通过引进随机Liapunov-Krasovskii泛函,使用自由权矩阵技术(即何技术),得到时滞依赖鲁棒随机稳定性与H_∞扰动衰减的线性矩阵不等式判据.3个数值例子说明提供的方法是有效的,并且与相关文献中存在的一些结果相比是低保守的.     

有限级拟亚纯映射在Borel方向上的充满圆

对于开平面上有限正级的K-拟亚纯映射在Borel方向上的性质进行了研究,用比较简单的方法证明了有限正级K-拟亚纯映射在其Borel方向上一定存在充满圆序列.把A.Rauch关于亚纯函数的结果推广到K-拟亚纯映射上.     

含咔唑与偶氮分散红共聚物的表面增强共振拉曼光谱研究

借助于表面增强共振拉曼光谱散射(SERRS)技术,研究了一种新型的偶氮聚合物材料侧链含咔唑与偶氮分散红共聚物(CAP)在化学沉积法制备的银膜表面的拉曼峰增强和吸附行为。实验结果显示,CAP在银表面的状态为: 聚合物通过咔唑单体中咔唑基团和偶氮单体中硝基与银膜衬底发生物理吸附,而聚合物的主链与衬底相距较远没有相互作用。可以推测,聚合物在衬底表面的这种状态将对偶氮光存储器件的稳定性和工作效率产生不良影响。     

液晶性噁二唑类载流子传输材料

将液晶基团引入到载流子传输材料中合成了新型液晶性噁二唑类衍生物E3和E6,利用偏光显微镜、差热扫描和广角X射线衍射的方法对其液晶性进行了研究,结果表明,E3为单向近晶型液晶,E6为双向近晶型液晶。同时,利用紫外—可见吸收光谱和电化学方法测定了材料的能级结构参数,其高的LUMO能级。低的HOMO能级(相对真空能级)及较大的带隙表明,它们不仅有利于电子从阴极的注入,还对空穴和激子具有一定的阻挡作用。由于材料在有序的近晶相比在无序的各向同性相将具有高的载流子迁移率,因此将液晶性与传输性相结合对提高材料载流子迁移率具有非常重要的意义。     

A new tuning procedure for the DTL RF field pattern

The DTL tank is a multi-cell cavity.In a fabricated tank,the measured average axial field E0 for each cell may obviously deviate from the designed value.It is generally thought the deviation is due to the errors in fabrication and assembly.But it is not always true.In this paper,it is shown that the deviation may already exist before fabrication in some cases.It is partly due to the imperfection of the current design procedures.A new design method is introduced to reduce the deviation in the design stage.     

基于近红外光谱技术的石油组分定量分析新方法

针对石油化工产品生产控制和质量检查的需要,为提高测定产品组成的效率,将近红外光谱法作为基础测定方法,以直馏柴油、加氢精制柴油和催化裂化柴油为校正模型的训练样本,测定其中饱和烃、胶质、单环芳烃、双环芳烃、三环芳烃和环烷烃的组成,论述了采用模糊神经网络建立校正模型测定石油化工产品组成的可行性。基于dSPACE硬件平台,用验证样本对模糊神经网络校正模型进行了检验,实验结果表明,该方法响应快、误差小、鲁棒性强,在近红外长波区内,校正样品和验证样品的均方误差小于10-6。该方法可用于石油化工产品的生产工艺研究中。     

Improved Resistive Switching Characteristics of Ag-Doped ZrO2 Films Fabricated by Sol-Gel Process

Ag-doped and pure ZrO₂ thin films are prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by sol-gel process for resistive random access memory application. The highly reproducible resistive switching is achieved in the 10% Ag-doped ZrO₂ devices. The improved resistive switching behaviour in the Ag doped ZrO₂ devices could be attributed to Ag doping effect on the formation of the stablefilamentary conducting paths. In addition, dual-step reset processes corresponding to three stable resistance states are observed in the 10% Ag doped ZrO₂ devices, which may be implemented for the application of multi-bit storage.     

CYCU-3孔内合成聚吡咯及其电导性能表征

以具有一维介孔孔道的金属有机框架材料CYCU-3作为主体材料,采用碘氧化法在其孔道内进行了吡咯的聚合反应,从而得到了复合材料PPy@CYCU-3。利用粉末X射线衍射、扫描电镜、热重、红外、荧光光谱等对CYCU-3、吸附吡咯后的Py@CYCU-3以及孔内聚合后的复合材料PPy@CYCU-3进行了表征,证明了孔内聚合的成功进行,而且在聚合过程中,CYCU-3基本保持了结构的稳定,形貌也未发生改变。而且,PPy@CYCU-3复合材料是具有多孔性和电导性的多功能材料。氮气吸附表明该材料为典型的微孔材料,其BET比表面积为420 m2·g~(-1)。电导测试表明该材料的电导率为10-7 S·cm~(-1),高于CYCU-3的电导率(σ≈10-13S·cm-1)6个数量级,是一种半导体材料。