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21.
美国GPS系统抗干扰技术的现状与发展   总被引:3,自引:0,他引:3  
对美国GPS系统抗干扰技术的现状与发展趋势进行了探讨和研究.分析了自适应调零、频域、时域滤波的GPS接收天线,接收P(Y)码,接收M码,伪卫星,GPS与INS组合等先进GPS抗干扰技术的发展及特点.介绍了美国最新研制的GPS接收机及抗干扰设备。概述了美国新一代GPS星座发展计划及对提高未来GPS抗干扰性能的影响.综合探讨了GPS抗干扰技术的发展趋势.  相似文献   
22.
孙天竹  郭军 《信息技术》2004,28(9):73-74,85
介绍了在常规模式下开发信息系统项目的不利因素,提出了在信息系统工程项目开发中引入工程监理的信息系统开发模式,对信息系统工程监理的概念、主要工作任务进行了说明,中心论述了在引入了信息系统工程监理机制的开发中的建设方、承建方和监理方的三者关系。  相似文献   
23.
针对激光扫描加工中存在固有图形畸变的情况,提出了DEA(dual-ends approch)控制模型。由于该模型不仅考虑了透镜焦距f、激光入射角θ、振镜偏转角和光学镜组之间的距离,而且还考虑了透镜中心厚度、透镜曲面曲率半径以及透镜介质折射率,因此提高了激光扫描加工系统的加工精度,减小了加工误差。同时利用VC++6.0编制了一个对话框程序,对传统fθ控制模型和DEA控制模型进行了分析比较,结果显示,DEA控制模型能正确表达所设计的加工图形,其精度高于fθ图形控制模型。  相似文献   
24.
聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究   总被引:8,自引:6,他引:2  
用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA:5CB:C60),C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性,实验发现,液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。  相似文献   
25.
复杂目标的近场散射特性分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
陶建锋  盛孝鹏  孙青 《现代雷达》2006,28(10):75-78
详细分析了目标散射随距离而变化的特征,根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况,并对三种情况下的描述的手段进行了讨论,提出在近场条件下,用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。  相似文献   
26.
基于AFM的微结构加工实验研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文建立了微动工作台和原子力显微镜相结合的微加工系统,在该系统上采用金刚石针尖进行微加工实验,与SPI系统本身的刻划软件刻划出的图形进行了比较分析,得出这个系统适合微结构的加工;并给出了采用该方法加工的1111面及多边形面微结构;还分析了金刚石针尖几何角度及SPM和工作台的相关参数对加工的影响。  相似文献   
27.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。  相似文献   
28.
V波段小型化低相噪频率综合器   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm3,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.  相似文献   
29.
笔者介绍了两种低纹波的DSP电源解决方案:一为采用MAX1793和大电流EMI静噪滤波器NFM41P;二为改进的去耦p型滤波电路和大电流EMI静噪滤波器NFM41P。并对方案的特点及其实现进行了详细的解析。试验结果表明:所述方案的纹波小,仅100 mV左右;成本低,仅几十元;适用范围广,通过改变MAX1793芯片的输出电压,可将本方案移植到TI的C5000,C6000系列,且还可用于其他的脱机工作系统。  相似文献   
30.
PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。  相似文献   
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