纳米AlN粉末的制备与烧结

利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4～8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1～2μm.     

串行及并行A/D转换器在高速数据采集中的采样差别性分析

串行和并行接口模式是A/D转换器诸多分类中的一种,但却是应用中器件选择的一个重要指标.在同样的转换分辨率及转换速度的前提下,不同的接口方式不但影响了电路结构,更重要的是将在高速数据采集的过程中对采样周期产生较大影响.本文通过12位串行ADC ADS7822和并行ADC ADS774与AT89C51的接口电路,给出二者采样时间的差异性.     

小波变换在光谱特征提取方面的应用

人们在处理高光谱图像时一般要对一些典型地物进行光谱分析、特征波段的提取,以便提取出最大量的有效信息,剔除无用或冗余的信息,然后再进行分类识别.采用小波变换的分析方法,选用合适的小波进行分解,根据分解后的高频分量中包含的重要信息,利用局部相邻的正负极值点找出对应于原始光谱曲线上每个吸收带的左右边界;利用局部过零点,即可比较精确的提取出各个吸收带的中心波长.该方法比传统的光谱特征提取方法更简洁、有效,实验证明为一种比较理想的光谱特征提取方法.     

SafeNet实现超强安全加密

安全加密产品的领导者SafeNet 公司,近日发布了新一代世界级高安全加密锁产品——圣天狗,以确保软件开发商的知识产权不被非法盗用。圣天狗(Sentinel Dog)是第一个也是唯一一个在市场上采用公钥技术、AES加密和内部验证机制的保护锁。它在提供超强安全加密性能的同时具有弹性化的授权模式。     

The First Template‐Free Growth of Crystalline Silicon Microtubes

A simple template‐free high‐temperature evaporation method was developed for the growth of crystalline Si microtubes for the first time. As‐grown Si microtubes were characterized using X‐ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and room‐temperature photoluminescence. The lengths of the Si tubes can reach several hundreds of micrometers; some of them have lengths on the order of millimeters. Each tube has a uniform outer diameter along its entire length, and the typical outer diameter is ≈ 2–3 μm. Most of the tubes have a wall thickness of ≈ 400–500 nm, though a considerable number of them exhibit a very thin wall thickness of ≈ 50 nm. Room‐temperature photoluminescence measurement shows the as‐synthesized Si microtubes have two strong emission peaks centered at ≈ 589 nm and ≈ 617 nm and a weak emission peak centered at ≈ 455 nm. A possible mechanism for the formation of these Si tubes is proposed. We believe that the present discovery of the crystalline Si microtubes will promote further experimental studies on their physical properties and smart applications.     

High-performance MIM capacitor using ALD high-k HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectrics

For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

激光扫描加工图形控制模型的研究

针对激光扫描加工中存在固有图形畸变的情况,提出了DEA(dual-ends approch)控制模型。由于该模型不仅考虑了透镜焦距f、激光入射角θ、振镜偏转角和光学镜组之间的距离,而且还考虑了透镜中心厚度、透镜曲面曲率半径以及透镜介质折射率,因此提高了激光扫描加工系统的加工精度,减小了加工误差。同时利用VC++6.0编制了一个对话框程序,对传统fθ控制模型和DEA控制模型进行了分析比较,结果显示,DEA控制模型能正确表达所设计的加工图形,其精度高于fθ图形控制模型。