4G/5G分组流描述管理及其优化方法

PFD管理方法主要用于解决后向数据相关规则传输过多时出现的负载过大问题,可动态推送PFD和相应计费规则.首先介绍了3GPP pre-R16中4G/5G的PFD管理方法,包括pull mode和push mode两种方法,同时分析了现有方法的不足,并介绍了相应的优化方案.应用新的优化方法,可减少PFDF和PCEF/TDF...     

求解一阶隐微分方程的微分法与参数法及奇解注记

主要指出了微分法与参数法的实质及二者的本质区别,以及求奇解的一个注意事项.     

Minc H和Sathre L不等式最好的界

给出了函数f(x)和g(x)单调性的证明.据此,得到了著名的Minc H和Sathre L不等式最好的界.     

基于MLX90621红外传感器的开关柜温度无线监测系统设计

介绍了一种基于MLX90621红外传感器的开关柜 母线接头温度无线监测系统。采用STM32微控制器、MLX90621红 外传感器和nRF24L01无线通讯模块,设计了这种温度无线采集系统 的硬件和软件部分。通过非接触式MLX90621红外传感器阵列 可实时采集高压开关柜的母线接头温度。其数据可通过nRF24L01通讯模 块和串口上传给上位机进行显示。由于具有成本低、稳定性 高、抗干扰强等优点,该系统适用于开关柜内部的复杂磁场环境。     

In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜, 并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性 能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换 Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高, 其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂 质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄 膜相近。     

像素级的图像融合方法

本文提出了一种基于小波变换的图像融合算法。与传统金字塔方法相比较,基于小波变换的融合算法能够很好地保持图像的信息,提取源图像信息的能力更强,具有广阔的应用前景。     

LD端面泵浦圆柱形Nd∶YAG晶体热效应研究

建立了圆柱形激光晶体的热传导模型.通过求解泊松方程,得到了在不同Nd离子掺杂浓度和不同泵浦光半径情况下激光晶体内的温度和温度场分布.研究结果表明,当其他条件不变时,随着Nd离子掺杂浓度的增加,Nd∶YAG晶体端面中心温度会升高,而晶体中心轴温度却会快速衰减.对于相同晶体,在泵浦功率一定时,随着泵浦光斑半径的减小,Nd∶YAG晶体端面中心温度会升高.如果采用低掺杂浓度的晶体作为增益介质,同时合理增加泵浦光斑半径,则可以有效抑制晶体的热效应.这一结论为提高激光器的稳定性、研究晶体的热效应提供了理论依据.     

双路注意力引导图卷积网络的关系抽取

为了更好地学习节点依赖并利用结构信息,本文提出一种以完全依赖树作为直接输入的新方法,利用图卷积网络并结合两个并行的注意力模块,自主学习如何有选择地关注对关系抽取任务有用的信息.该方法将样本表示成图上的各节点,一个模块用于计算节点特征位置之间的影响,使特征向量可以包含更广范围的语义信息,另一个用于计算节点依赖的关系特征,...     

一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5～65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的V_GS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5～65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10^-5/℃。     

基于夹层氮化硅波导的可见-中红外超连续谱特性研究

提出一种低厚度氮化硅-蓝宝石-氮化硅夹层波导结构。利用其色散波辐射现象和中红外相位匹配条件,结合波导脉冲传输模型,讨论了夹层波导不同物理尺寸对相位匹配点和光谱展宽的影响,数值模拟获得了0.5~4 μm的超连续谱展宽,并且在-40 dB水平下具有更远中红外色散波产生。通过该模型,详细解释了非线性波导脉冲传输的潜在机制。理论模型分析表明,通过优化氮化硅及蓝宝石夹层的物理尺寸,进而改变相位匹配条件,可以在较宽的波长范围内控制色散波的位置。