改进Hough变换的算法实现

利用Hough变换对直线进行检测,通常参数空间使用的是极坐标系.这种方法存在速度缓慢,结果不够精确的问题.这主要是因为极坐标所用到的正弦函数和余弦函数具有非线性特性,使将来运算基本单元的乘法不可避免.为解决这个问题,提出一种通过改换坐标系、用加法和移位运算代替乘法的新思想,大幅加快了Hough变换的速度.从而使超大型图像中,直线的实时、精确检测成为可能.     

一种输出格式可控的多码率LDPC编码器实现

针对我国数字电视地面广播标准(DTMB标准)中多码率LDPC码与多符号映射方式相配合的特点,使用Verilog硬件描述语言设计一种LDPC编码器.该编码器不仅同时支持三种码率LDPC码,而且可以依照标准中采用的五种不同的符号映射方式,选择最佳的码流输出格式,提高了编码器的通用性.最后在Xilinx的XC4VSX35 FPGA芯片上实现该编码器,其测试结果表明该编码器完全可以应用在DTMB发射机中.     

高压开关触头温度实时无线监测系统的设计与实现

介绍由无线温度变送器、数据集中显示器和上位机构成的一种无线式高压开关触头温度实时监测系统,重点阐述无线温度变送器的硬、软件设计,较好地解决了高压隔离、长使用寿命和抗强电磁干扰的难题,使系统具有高可靠、低成本、安装维护和使用方便的特点,可广泛应用于高电压环境的温度在线监测领域.     

CDMA系统的扩址方案的研究

地址码技术是码分多址(CDMA)扩频通主要矛盾.文中分析的CDMA系统的扩址方案是以m序列、Gold序列为基础,利用MATLAB软件对扩址方案中地址码的自相关、互相关进行仿真分析,从而确认扩址方案的可行性,这为解决移动通信中地址码数量的短缺问题提供了理论依据.     

超宽带随机噪声SAR系统分析

超宽带随机噪声合成孔径雷达能够满足复杂电磁环境对现代雷达系统的要求,具有广阔的应用前景,文中简要概述了其应用特性,然后给出了理论分析和穿透成像系统模型,最后进行了初步算法分析和计算机仿真.     

宽窄带联合包络测速研究

基于宽窄带数据,提出一种宽窄带联合包络测速的新方法.利用宽带数据包络对齐估计的包络移动量与窄带距离波门的距离(解线调频的参考距离)之和,得到目标的实际距离,对此距离进行最小二乘拟合,从而得到目标速度的估计.同时文中也分析了参考距离的误差对于速度估计的影响,仿真和实测结果验证了其结论的正确性.     

高效的匿名的基于口令的认证密钥协商协议

基于口令的密钥协商协议可以为网络上仅共享一个口令的通信双方建立会话密钥.提出了一个基于口令的认证密钥协商协议,并且对所提出的协议安全性进行了分析,分析结果表明该协议在计算性Diffie-Hellman假设下,可以抵抗字典攻击.该协议能够为用户提供隐私保护并且实现非关联性,而且,该密钥协商协议能够抵抗拒绝服务攻击.     

基于红外目标纹理特征的发现概率评价模型

为客观评价固定目标的生存能力,建立了基于热红外图像纹理特征的目标发现概率模型.首先结合统计决策原理与图像分析与处理技术,应用Gabor函数小波的纹理分析方法和基于Bhattacharyaa距离的纹理相似度概念,得到发现概率公式.然后设计了图像特征与心理感知关系的心理学实验,根据实验分析结果确定模型参数.最后经专家判读试验和模拟试验验证,该模型结果可靠,能够从发现角度较为准确地模拟判读人员的判读过程,为评价固定目标在热红外波段的生存能力提供了新的方法,并为决策提供更为客观的依据.     

增益调制非扫描激光雷达测距精度的理论分析

非扫描成像激光雷达是激光雷达重要发展方向之一.介绍了增益调制型非扫描激光雷达系统的成像原理.根据该激光雷达的成像原理可以得出,脉冲宽度和背景光积累将会对激光雷达的测距精度产生较大影响.分析了脉冲宽度、回波展宽以及背景光会对距离精度产生的影响.在考虑脉冲宽度和背景光积累,忽略其他噪声和目标表面粗糙度的情况下,对大气传输和目标对回波脉冲展宽的影响进行了分析,对增益调制型非扫描激光雷达在不同的系统及目标参数情况下的回波波形和测距精度进行了仿真计算,为系统性能参数的选择和距离图像的后续处理提供了理论依据.     

一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究

针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N ⁺缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N ⁺缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗。在器件关断过程中,N ⁺缓冲层中处于反向偏置状态的PN结对N ^-漂移区中电场分布起到优化作用,加速了N ^-漂移区中电子抽取,在缩短器件关断时间和降低关断能量损耗的同时提升了击穿电压。Silvaco TCAD仿真结果显示,新型沟槽栅4H-SiC IGBT击穿电压为16 kV,在15 kV的耐压设计指标下,关断能量损耗低至4.63 mJ,相比传统结构降低了40.41%。