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11.
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗,以及用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析。结果表明:螺旋线径向挤压变形会导致相速增大,而在通常的变形范围内耦合阻抗也会增加;当变形继续增大时耦合阻抗上升到最大值后开始下降。  相似文献   
12.
一种铁氧体移相驱动器专用集成电路   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了SA018铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理,电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器,放大器,积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体,大大减少了铁氧体移相器的外围设计。  相似文献   
13.
防紫外线伞ATR-OMNI采样器的FTIR分析   总被引:5,自引:3,他引:2  
本实验使用OMNI采样器,直接对伞面内外进行单反射ATR的分析,快速、简便、不破坏样品,得到分辨率很好的红外图谱,再配合红外谱库的谱图检索,可以分别得到匹配率95%以上的尼龙-6和聚酯型聚氨酯的分析结果。  相似文献   
14.
在利用直流光源型半导体位敏器件(PSD)进行测量时,常因环境光强的改变而引起误差。本文介绍的交变调制光源及其相应的PSD光电信号处理电路,可大大地降低和消除杂散光对测量的影响。  相似文献   
15.
苏昉  苏骏  金嗣炤 《物理学报》1992,41(3):448-458
对两种非晶态B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V2O5不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B2O3-Li2关键词:  相似文献   
16.
基于TS101型DSP链路口的多通道高精度数据采集电路设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍一种基于数字信号处理器(DSP)TS101链路口的多通道高精度数据采集电路的设计方法,详细阐述利用多个ADS8361型A/D转换器进行数据采集,并经TS101链路口传输数据的FP-GA和DSP设计实现,讨论如何提高A/D转换精度的问题.  相似文献   
17.
ATM-PON是光纤接入网的重要技术。文章研究了业务穿越ATM-PON接入网的延时和延时变化性能,着重分析媒体接入控制协议对业务延时和延时变化性能的影响。研究结论对ATM-PON媒体接入控制协议的合理设计有很大的帮助。  相似文献   
18.
牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618.  相似文献   
19.
In phase unwrapping, how to control the residues and cut-lines is critical to unwrap ill-state wrapped phase map successfully. Some new concepts in phase unwrapping field are proposed. Firstly, the residues in three types, I.e., singular residues, normal residues and virtual residues, are classified, which leads to some rational unwrapping paths. Secondly, some differences between cut-line and curved-line are analyzed. And finally, experiment is carried out to compare our new enhanced Goldstein algorithm with the original Goldstein algorithm.  相似文献   
20.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.  相似文献   
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