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111.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 相似文献
112.
113.
114.
A new fluorescent chemosensor with imidazole as ionophore was synthesized by the selective derivation of calixarene, which can effectively recognize Cu2+ and Zn2+ leading to different fluoroscopic behaviors in CH3OH-H2O. This system could be considered as a molecular switch. By modulating the pH of the solution, on-off-on fluorescent switching is carried out upon combinatory addition of acid, base and Cu2+. 相似文献
115.
Shui Cao ZHENG Huo Nan LIN Di He HU 《数学学报(英文版)》2005,21(5):1137-1148
In this paper, we investigate the Hausdorff measure for level sets of N-parameter Rd-valued stable processes, and develop a means of seeking the exact Hausdorff measure function for level sets of N-parameter Rd-valued stable processes. We show that the exact Hausdorff measure function of level sets of N-parameter Rd-valued symmetric stable processes of index α is Ф(r) = r^N-d/α (log log l/r)d/α when Nα 〉 d. In addition, we obtain a sharp lower bound for the Hausdorff measure of level sets of general (N, d, α) strictly stable processes. 相似文献
116.
117.
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化
关键词:
高温超导薄膜
RHEED 相似文献
118.
Tetraalkyltin complexes, SnR4 (R = Me, Et, Pr, Bu) could react with Pt/HY at 193, 243, 273 and 333 K, respectively. The reactions occurred on the surface of the zeolite and the organotin grafted zeolites were characterized in detail. The framework and the microporous structure of the grafted Pt/HY zeolites were retained. However, the modified zeolites showed better size selectivity in the absorption of hydrocarbons. 相似文献
119.
概述污水处理厂的一般工艺,简单介绍了风机、水泵等的节能特点,介绍了变频调速装置在污水处理厂各处理工段的应用。 相似文献
120.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献