半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性

采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。     

基于电磁诱导透明效应的光信息存储

光信息存储在未来的全光通信和量子信息领域有着重要的意义,并且是当今高速光信号处理的瓶颈.阐明电磁诱导透明效应的物理机制及基于该机制的光信息存储理论,说明了该领域的发展及在未来的全光通信和量子信息领域的应用.指出光脉冲的存储时间、存储保真度以及存储条件的简化等是制作实用化光存储器的关键.     

基于嵌入式的EPON扩展DBA设计与实现

根据IEEE802.3ah协议设计与实现了一种基于ARM9和PAS5201的嵌入式新型EPON扩展DBA方法,并具体阐述了如何构建此系统的软硬件平台,在硬件设计上CPU与PAS5201采用16位总线通信的新设计方法,在软件设计上充分利用PAS-API函数,介绍了如何根据PAS5201的系统框架扩展用户的DBA算法.     

芦丁对血清白蛋白构象的影响

用同步荧光光谱法和圆二色谱法研究了芦丁对牛血清白蛋白(BSA)和人血清白蛋白(HSA)构象和功能的影响,同时用电化学方法研究了芦丁与血清白蛋白之间的结合作用。在体内随着芦丁浓度的增加,其与血清白蛋白结合时对血清白蛋白的构象无影响,但对血清白蛋白的二级结构有影响,导致α-螺旋结构减少,β-折叠结构增加,蛋白质的二级结构被破坏。电化学研究发现：芦丁的氧化还原电流随着血清白蛋白浓度的增加而明显降低, 表明芦丁与血清白蛋白发生反应,生成比较稳定的复合物。芦丁的氧化还原最大峰电位也随着血清白蛋白浓度的增加发生变化,峰电位差略增加,表明芦丁的氧化还原性随着血清白蛋白浓度的增加而增强。进一步证明芦丁在体内能够被血清白蛋白存储和转运。     

半导体激光与氦-氖激光治疗带状疱疹性神经痛的疗效观察

目的:观察半导体激光与氦一氖激光治疗带状疱疹性神经痛的临床疗效.方法;将患者73例随机分为2组,半导体激光治疗组39例,采用半导体激光治疗;氦-氖激光治疗组34例采用氦-氖激光治疗.结果:半导体激光治疗组有效率为97.5%:氦-氖激光治疗组有效率为79.4%.两组比较差异显著(p＜0.05).结论:半导体激光照射治疗带状疱疹疗效较高.     

基于5G智慧园区的车联网系统应用示范

5G智慧园区作为建设智慧城市的关键切入点,具有交通组成元素相对单一、相关业务要求明确的特点,有利于实现5G+C-V2X商业化的快速落地,5G网络可以为园区内的交通群体带来超大带宽、超低时延、超大连接的网络接入条件。首先结合5G网络特性以及智慧园区内交通群体的实际需求进行了分析,在此基础之上提出了一套基于5G+C-V2X的智慧园区车联网系统。该系统能提供多种智慧交通创新技术及业务示范,用于在冬奥会期间提供多场景下的车-路-云-网智慧交通服务。可以此为契机打造5G创新业务行业标杆案例,有效引领智能车联网的产业创新,促进全球车联网产业更好更快发展。     

一种超高耐久混凝土——梯度结构混凝土

分析超高耐久混凝土的研究现状,提出了一种高耐久、低成本的超高耐久混凝土--梯度结构混凝土(Gradient Structural Concrete,简称GSC),采用电量法和氯离子扩散系数法来评价梯度结构混凝土的抗氯离子渗透性能,最后进行梯度结构混凝土的寿命预测与成本分析.结果表明,高性能混凝土(High Performance Concrete,简称HPC)、无细观界面过渡区水泥基复合材料(Meso-interfacial transition zone-free cement-based materials,简称 MIF)和梯度结构混凝土MIF-HPC的6 h导电量和氯离子扩散系数的排列顺序均为:HPC>MIF-HPC>MIF,其抗氯离子渗透性能排列顺序为:MIF>MIF-HPC>HPC.梯度结构混凝土的成本会有所增加,但由于其氯离子渗透性能大幅降低,其使用寿命得到大幅延长,使得其年损耗费用大幅下降.     

用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计

MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。     

InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。