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101.
102.
基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的。采用Multisiml0仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uc的表达式出发,分析了Mc与时间常数之间的关系,给出了几种Muhisim仿真测试时间常数的实验方案。仿真实验可直观形象地描述RC电路的工作过程及有关参数测试。将电路的硬件实验方式向多元化方式转移,利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力,使电路分析更加灵活和直观。 相似文献
103.
用化学气相沉积法制备了厚度为 2 μm左右、掺杂比为 ( 2~ 6)× 1 0 -6的硼轻掺杂非晶硅半导体薄膜 ,测量了样品光电流随掺杂比、电压和光波长的变化。结果表明 ,非晶硅薄膜的光电流随掺杂比、电场强度和光功率密度的增大而增大 ,光电流灵敏度最高频谱范围随掺杂比和电场强度的增大而增大 ,掺杂比改变对光电流的影响比电场强度和光功率密度变化的影响更明显 相似文献
105.
Wenlong Chen Yanling Ma Fan Li Lei Pan Wenpei Gao Qian Xiang Wen Shang Chengyi Song Peng Tao Hong Zhu Xiaoqing Pan Tao Deng Jianbo Wu 《Advanced functional materials》2019,29(42)
Platinum‐based catalysts are critical to several chemical processes, but their efficiency is not satisfying enough in some cases, because only the surface active‐site atoms participate in the reaction. Henceforth, catalysts with single‐atom dispersions are highly desirable to maximize their mass efficiency, but fabricating these structures using a controllable method is still challenging. Most previous studies have focused on crystalline materials. However, amorphous materials may have enhanced performance due to their distorted and isotropic nature with numerous defects. Here reported is the facile synthesis of an atomically dispersed catalyst that consists of single Pt atoms and amorphous Fe2O3 nanosheets. Rational control can regulate the morphology from single atom clusters to sub‐nanoparticles. Density functional theory calculations show the synergistic effect resulted from the strong binding and stabilization of single Pt atoms with the strong metal‐support interaction between the in situ locally anchored Pt atoms and Fe2O3 lead to a weak CO adsorption. Moreover, the distorted amorphous Fe2O3 with O vacancies is beneficial for the activation of O2, which further facilitates CO oxidation on nearby Pt sites or interface sites between Pt and Fe2O3, resulting in the extremely high performance for CO oxidation of the atomic catalyst. 相似文献
106.
多径干扰在频域表现为在PCM/FM的频谱中产生凹陷。我们通过用一直射路径和一延时小于一个比特间隔的镜面反射路径来模拟再入遥测多径信道,并结合一延时解调器,得到了系统的性能方程式,它是多径信道参数r、θ和τ的函数。然后就有和无预检波滤波器分别分析了多径干扰对系统性能的影响。通过分析得出,系统的比特错误概率都强烈依赖于凹口的位置,而在无预检波滤波器时,系统的平均比特错误概率与凹口的宽度(时延τ)无关,主要由凹口的深度(反射系数r)确定,此时由于多径干扰引起系统性能损失的上界为1/(1-r)2,它高出实际系统性能的损失值不到1dB。在有预检波滤波器的情况下,系统的平均比特错误概率与凹口的宽度、凹口的深度和滤波器的带宽都有关。当τ/Tb=0.15时系统性能最差,而滤波器的带宽B越窄,码间干扰越严重,在τ/Tb=0.15且BTb=1时,得到了系统性能损失的上界为:1/(1-r)2r,它超过系统性能的实际损失同样小于1dB。 相似文献
107.
Cheng Xiang Yuan Dongfeng 《电子科学学刊(英文版)》2007,24(1):50-53
In this paper, we propose a novel iterative scheme for exploiting transmit diversity using parallel independent Inter-Symbol Interference (ISI) channels. In this adaptive iterative scheme, we use EXtrinsic Information Transfer (EXIT) chart tool to choose appropriate iterative method from Iterative Combining (IC), used as parallel concatenation turbo-like scheme, and Turbo Equalization (TE), used as serial concatenation turbo-like scheme. It is show that the proposed iterative scheme provides excellent performance both analytically and through simulations without any compute complexity increase comparable to IC. 相似文献
108.
Yongji Gong Gonglan Ye Sidong Lei Gang Shi Yongmin He Junhao Lin Xiang Zhang Robert Vajtai Sokrates T. Pantelides Wu Zhou Bo Li Pulickel M. Ajayan 《Advanced functional materials》2016,26(12):2009-2015
The emergence of semiconducting transition metal dichalcogenide (TMD) atomic layers has opened up unprecedented opportunities in atomically thin electronics. Yet the scalable growth of TMD layers with large grain sizes and uniformity has remained very challenging. Here is reported a simple, scalable chemical vapor deposition approach for the growth of MoSe2 layers is reported, in which the nucleation density can be reduced from 105 to 25 nuclei cm?2, leading to millimeter‐scale MoSe2 single crystals as well as continuous macrocrystalline films with millimeter size grains. The selective growth of monolayers and multilayered MoSe2 films with well‐defined stacking orientation can also be controlled via tuning the growth temperature. In addition, periodic defects, such as nanoscale triangular holes, can be engineered into these layers by controlling the growth conditions. The low density of grain boundaries in the films results in high average mobilities, around ≈42 cm2 V?1 s?1, for back‐gated MoSe2 transistors. This generic synthesis approach is also demonstrated for other TMD layers such as millimeter‐scale WSe2 single crystals. 相似文献
109.
110.
在LTE系统中引入设备直传(D2D)通信技术,会因为D2D用户复用蜂窝用户资源进行通信而产生同频干扰.在现有的干扰协调与资源分配研究中,都需要基站获取各个通信链路的信道状态信息(CSI),但这样无疑会增加基站的信令负担.为减小干扰与基站的信令负担,提出了一种基于用户中断概率的干扰协调与资源分配算法,首先在保证蜂窝用户正常通信的情况下,通过限制D2D用户到基站间的距离来降低干扰;其次通过遍历所有蜂窝用户的频谱资源,选择能使D2D用户的总中断概率最低的频谱资源进行复用.仿真结果表明,所提算法能够在保证蜂窝用户正常通信的情况下,明显降低D2D用户的平均中断概率,同时还能够降低基站信令负担. 相似文献