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研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程 相似文献
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针对传统的计算机游戏地形仿真方法存在生成效率低下、真实感不强等问题,研究了一种基于改进的热力侵蚀算法的腐蚀化地形生成技术,并通过地形平整化处理以提高地形编辑的简易性.实验结果证明,经过改进的算法不但具有更高的计算效率,而且能生成更逼真的地形视觉效果. 相似文献
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对HFC网络中普遍采用的三叉树冲突化解算法进行分析,介绍树冲突化解算法的两种栈管理模式:FIFO(先进先出)模式和LIFO(后进先出)模式,并举例说明FIFO和LIFPO的冲突化解过程。 相似文献
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