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42.
Benson真有效意义下集值优化的广义最优性条件 总被引:12,自引:0,他引:12
本文引入了关于集值映射的α-阶Clarke切导数、α-阶邻接切导数及α-阶 伴随切导数的概念,借此建立了约束向量集值优化Benson真有效解导数型的Kuhn- Tucker条件. 相似文献
43.
"数字图像处理"实验教学探索与实验软件研制 总被引:8,自引:2,他引:8
针对电子信息类本科专业“数字图像处理”实验教学现状,探索建立综合的实验体系,开发相应的实验教学软件,经过两轮教学实践,体系趋于完善,教学效果良好。综合实验体系采用“3 1”的实验教学模式,即3项基础实验加1项课程实习,使得实验与教学各环节配合得当、逐层深入、相辅相成,很好地解决了课时少、内容多、难度大的教学矛盾。实验教学软件采用Visual C^ 编程,内容丰富、界面友好,具有较强的健壮性、可移植性和可扩展性。 相似文献
44.
45.
46.
光阑面积的精确测量方法 总被引:1,自引:0,他引:1
根据辐射照度与面积的基本关系,采用平行等间隔的相同激光束相互重叠,形成空间均匀的照度区域,且覆盖孔径光阑.通过孔径光阑的辐射通量与辐射照度的比值即为孔径光阑的面积.对此方法进行了详细的理论分析并给出了实验结果,测得直径6 mm的光阑面积为28.663 mm2,测量不确定度达到3×10-4.这种方法比以往测量方法的优越之处在于可以直接测量孔径光阑的面积而不需要任何其它高精度参考光阑,并且可以用于测量任意形状的孔径光阑. 相似文献
47.
本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分
关键词: 相似文献
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根据 HL-2M 装置烘烤系统管路设计,建立烘烤系统的管道应力计算模型。对烘烤系统管路作初始
支架设计,并采用系统内的最高温度分布,对烘烤系统进行热应力计算,分析管道应力及设备管口载荷。以热应
力计算结果为依据,对管路布置进行优化,并改善支架的设计,对烘烤系统进行应力校核计算,完成烘烤系统可
靠性验证计算,完成了管口位移量计算。 相似文献
49.
介绍了 HL-2M 装置冷却水系统的组成以及各子系统的循环流程、运行原理和运行参数。 相似文献
50.