半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法

半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。     

高入纤功率光纤通信系统的可靠性研究

掺铒光纤放大器(EDFA)和拉曼放大器(FRA)的使用,使得光纤通信系统中的入纤功率有了很大的提高.较高的入纤功率不仅会在光纤中引起各种非线性效应,对光脉冲的传输产生影响,也会对光纤本身的可靠性产生影响,为此介绍了高入纤功率对光纤系统的影响,分析了其产生的机理,并提出了应对措施.     

三角帆蚌对水体Cr,Pb和Cd的净化与吸收

三角帆蚌（Hyriopsis cumingii Lea）对水体Cr,Pb,Cd污染有明显的净化能力，持续处理12d，能使水体Cr,Pb,Cd含量分别下降83％，77．6％和72％。蚌体的斧足、鳃、外磁膜、体表粘液、肝脏、肠道和生殖腺等组织对3种污染物的吸收和富集作用不尽相同，其中分别以体表粘液、鳃和肝脏最为显著。3种污染物进入蚌体的速度很快，其组织吸收量一般在第3天即可达到较高水平。进入蚌体的污染物，可在组织转移和重新分布。研究结果为生物治理Cr,Pb,Cd等重金属污染积累了资料。     

Studies on O-,N-Acylation of 3-Hydroxyisoxazole and Their Regioselective Synthesis(Ⅰ)——O-,N-acylation of 5-Methyl-3-hydroxyisoxazole with 2,2-Dimethyl 3-Substituted Cyclopropanecarboxylic Chlorides

The reactions of 5-methyl-3-hydroxyisoxazole with 2, 2-dimethyl, 3-substituted cyclopropanecarboxylic chlorides give O-acyl-5-methyl-3-hydroxyisoxazole and N-acyl-5-methylisoxazolin-3-one derivatives. The ratio of O-acyl to N-acyl product depends upon the acylation reagents. O-acyl derivatives can be converted to the N-acyl compounds by isomerization under acidic conditions or heating.     

Effect of Alumina and Chromium Interlayers on Microstructures and Optical Properties of Thin Ag Films on Glass Substrates

Effects of alumina and chromium interlayers on the microstructure and optical properties of thin Ag films are investigated by using spectrophotometry, x-ray diffraction and AFM. The characteristics of Ag films in Ag/glass, Ag/l2O3/glass and Ag/Cr/glass stacks are analysed. The results indicate that the insertion of an Al2O3 or Cr layer decreases the grains and influences the reflectance of Ag films. The reflectance of the Ag film can be increased by controlling the thickness of alumina interlayer. The stability of Ag films is improved and the adhesion of Ag films on glass substrates is enhanced by alumina as an interlayer.     

非对称三态叠加多模泛函叠加态光场的高次压缩——广义电场分量的不等幂次和压缩效应研究

多模真空态|{0j}〉q与两个空间强度分布特征不同的多模复共轭泛函相干态|{f(j a)*(x,y,z)}〉q和|{f(j b)*(x,y,z)}〉q的线性叠加组成的三态叠加多模泛函叠加态光场|ψ(f3)〉q,利用多模压缩态理论,研究了态|ψ(f3)〉q中广义电场分量的不等幂次高次和(H)压缩特性.结果表明:在一定的条件下,态|ψ(f3)〉q的广义电场分量可呈现出周期性变化的任意奇数次和任意偶数次的不等幂次高次H压缩效应;光场的经典振幅和经典初始相位的任意非对称空间分布特征对其压缩程度和压缩深度等压缩特性将产生直接的影响.     

闪烁体荧光传输特性对ETOF探测器性能的影响

为了对BESⅢ端盖飞行时间探测器(ETOF)的测试结果给出合理的解释, 采用Monte Carlo模拟软件包Geant4, 对该探测器测量高能带电粒子的性能进行模拟研究. 详细探讨了当粒子击中ETOF模块不同位置时, 其闪烁体荧光传输特性与探测器模块输出信号之间的关联, 以及PMT输出信号甄别阈值的选取对闪烁探测器本征时间分辨的影响, 并寻找可能的改善时间分辨的方法. 为进一步提高ETOF的性能提供参考.     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。