一种简单的S参数去嵌入技术

介绍了在低成本夹具上，任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法；该方法用于获取放大器模块的S参数，根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。     

Crystallographic report: Bis(norfloxacin)dilead(II) tetranitrate, [Pb2(H‐Norf)2(ONO2)4]

The centrosymmetric binuclear structure of [Pb₂(H‐Norf)₂(ONO₂)₄]shows the geometry around each lead(II) atom to be distorted trigonal bipyramidal with Pb–O distances ranging from 2.357(3) to 2.769(4) Å. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd.     

随机模拟在电信网性能评价中的应用

本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件ＳＩＭＵＮＥＴ，及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价，也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。     

BAHADUR ASYMPTOTIC EFFICIENCY IN A SEMIPARAMETRIC REGRESSION MODEL

ＢＡＨＡＤＵＲＡＳＹＭＰＴＯＴＩＣＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹＩＮＡＳＥＭＩＰＡＲＡＭＥＴＲＩＣＲＥＧＲＥＳＳＩＯＮＭＯＤＥＬ￥ＬＩＡＮＧＨＵＡ；ＣＨＥＮＧＰＩＮＧＡｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅａｕｔｈｏｒＳｇｉｖｅＭＬＥθ１ＭＬｏｆθ１ｉｎｔｈｅｍｏｄｅｌＹ＝θ...     

A novel technique for profiling the lateral n- dopingconcentrations of submicron LDD MOS devices

This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n^- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n^- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology     

声表面波32位MSK抽头延迟线

介绍了扩频通信有效的ＭＳＫ信号特点及声表面波ＭＳＫ抽头延迟线构成方式，给出了声表面波３２位ＭＳＫ抽头延迟线的实验结果。     

VHDL逻辑综合及FPGA实现

运用ＶＨＤＬ语言描述了一个１２×１２位的高速补码阵列乘法器。重点是运用ＶＨＤＬ逻辑综合优化该乘法器，并进行了乘法器的ＸｉｌｉｎｘＦＰＧＡ实现、功能仿真和时序仿真。经选用ＸＣ４００５ＰＣ－８４－４芯片进行验证，证明了其正确性     

SXDG-1型汽车前照灯全自动检测仪的微机控制

SXDG—1型汽车前照灯全自动检测仪是用于检测汽车前照大灯光轴的偏斜情况及发光强度并进行定量检验的专用设备。它可以自动测出有关参数,并予以数字显示和打印输出。本文介绍了该仪器的主要性能、工作原理及微机控制系统(包括硬件结构和软件设计思想等)。     

ESR方法研究高TC氧化物的超导电性

用电子顺磁共振方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ＥＳＲ共振信号。认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一。利用零场非共振吸收实验给出的下临界磁场Ｈｃ１（Ｔ）很好地遵多Ｈｃ１（Ｔ）＝Ｈｃ１（０）（１－Ｔ＆＾２／Ｔｃ＾２）。     

产量──密度模型讨论

本文给出产量与密度函数关系