非均匀有耗媒质部分参数的重建

在高频部分，通过用Ｗｅｎｔｚｅｌ—Ｋｒａｍｅｒｓ—Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ—Ｊｅｆｆｅｒｙｓ（ＷＫＢＪ）解作为内场近似，本文证明了有耗非均匀媒质的反射系数在复平面上的轨迹是个圆。根据不同入射角度、不同极化的高频反射系数圆的圆心与半径，可以重建出有耗媒质的部分关键参数。本文方法同时适用于已知复反射系数谱和仅知反射系数振幅情况。文中给出具体重建实例。     

Nd：MgO：LiNbO3晶体的荧光光谱及其双晶体腔内互倍频实验

采用激光感生荧光技术测量了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的偏振荧光光谱，简要地说明了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３双晶体腔内互倍频的基本原理，并在实验中用染料激光作泵浦源实现了其双晶体腔内互倍频运转；得到５４３ｎｍ横模倍频绿光单端输出约ＹＭＷ，腔前泵浦阈值约３８ＭＷ，总转换效率约为１．３％。     

分散图象压缩的遗传算法

基于分形和PIFS函数的特点，提出一种改进的遗传算法用于分形压缩分块的定义域匹配搜索算法。该方法克服了原来分形图象压缩中分类匹配算法固有的局部最优性和随机搜索的缺点，是一种具导引的全局优化的搜索算法。分析和实验表明，该方法的图象压缩比高，解码质量好，若应用遗传算法的并行性，其编码速度也得到提高。     

荧光波长对共焦显微镜成像特性的影响

导出了共焦显微镜中不同荧光波长情况下的荧光功率传输函数、三维脉冲响应函数（3D－PSF）和三维光学传递函数（3D－OTF）。结果表明，不同的荧光波长对共焦显微镜的空间截止频率、分辨率、光学传递函数存在明显的影响。当激发波长与荧光波长的比值下降到一定程度时，可以看到明显的失锥现象。     

几种N-取代马来酰胺酸辅酶模型的核磁共振研究

我们对8种N-取代马来酰胺酸辅酶模型与不同类型的亲核试剂反应后生成的产物进行了¹H、¹³C NMR的研究, 测得¹H、¹³C谱化学位移,研 究探讨其规律性, 并测试了IR谱和元素分析.     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

Influence of lattice self-heating and hot-carrier transport ondevice performance

As device technologies improve, the traditional drift-diffusion transport model becomes inadequate to predict the performance of state-of-the-art semiconductor devices. The reasons are believed to be the larger field and field gradient inside advanced devices which cause lattice heating and hot carrier nonlocal transport phenomena. For more accurate prediction on device performance, a new device simulator capable of full thermodynamic simulation was developed. The carrier and carrier energy transport equations are directly derived from the Boltzmann transport equation, and the energy transfer among electrons, holes and crystal lattice takes into account most of the possible mechanisms. This simulator was used to simulate the DC behavior of a BJT and a half-micron NMOS. The simulation results show that for advanced devices, not only the drift-diffusion model becomes inadequate, but including only one of the two thermal effects results in error in simulated device characteristics     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

数字混沌扩频序列的盲估计

混沌序列具有非线性、宽带类噪声、大的码族、任意长的周期且容易产生的特性,因此在扩频通信系统中很有实用价值。本文将文献[1]中对伪随机扩频序列盲估计的方法推广应用到混沌扩频通信中,并对其不足提出了改进方法。在只知道扩频码周期而无其它任何先验知识的条件下,利用特征值分析的方法可以对数字混沌直扩序列进行盲估计,仿真实验证明了该方法的有效性。     

动态分组传输技术(DPT)性能分析

简要介绍动态IP光纤技术DPT的传输机制及相关的空间复用协议内容,同时分析DPT的主要特点,并与其他技术如ATM,POS等进行对比,说明DPT在大型IP网络应用中的优势.