独立不同分布部分和的增量有多小

Csrg和Révész(1981)对独立同分布随机变量部分和的增量有多小给出了一个十分漂亮的结果。但其证明恐有误。本文不仅修正了他们的错误,而且在更弱的条件下对独立不同分布序列得到了相应的结论。     

有限可解群的若干充分条件

运用有限群的弱c-正规性,得到了有限可解群的若干充分条件,推广了相关文献的一些结果.     

二甲醚在铂电极上的电氧化和吸附行为

运用循环伏安法和气相色谱法研究了二甲醚在铂电极上的电氧化和吸附行为，并与甲醇进行了比较．二甲醚的循环伏安曲线显示在0．8V(vs．RHE)附近出现两个氧化峰．二甲醚在铂电极上的吸附强度弱于氧、甲醇甚至氢．二甲醚电氧化的起始电位较甲醇低50mV，峰值电位较甲醇低约110mV．气相色谱研究表明二甲醚电氧化过程中有少量甲醛生成．基于电化学和气相色谱研究结果，提出了二甲醚在铂电极上电氧化的反应机理，并认为二甲醚电氧化过程可以有多种途径．     

A Diode-pumped Low Threshold Nd:SVAP/KTP Laser

ＡＤｉｏｄｅ－ｐｕｍｐｅｄＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＮｄ：ＳＶＡＰ／ＫＴＰＬａｓｅｒＷＡＮＧＣｈａｎｇｑｉｎｇ；ＳＨＥＮＤｅｙｕａｎ；ＭＥＮＧＸｉａｎｌｉｎ；ＳＨＡＯＺｏｎｇｓｈｕ；ＪＩＡＮＧＭｉｎｈｕａ（ＩｎｄｉｔｕｔｅＯｆＣｒｙｓｔａｌＭａｔｅｒｉ...     

Improved Surface Characteristics and Contact Performance of Epitaxial p-AlGaN by a Chemical Treatment Process

The comparative study of epitaxial 380-run-thick p-Al0.091 Ga0.909 N materials without and with special surface chemical treatment is systematically carried out. After the treatment process, the deep level luminous peak in the 10 K photoluminescence spectrum is eliminated due to the decrease of surface nitrogen vacancy VN related defective sites, while the surface root-mean-square roughness in atomic force microscopy measurement is decreased from 0.395nm to 0.229nm by such a surface preparation method. Furthermore, the performance of surface contact with Ni/Au bilayer metal fihns is obviously improved with the reduction of the Schottky barrier height of 55meV. The x-ray photoelectron spectroscopy （XPS） results show a notable surface element content change after the treatment which is considered to be the cause of the above-mentioned surface characteristics improvement.     

变曲率弯晶的粒子退道行为

利用正弦平方势和变曲率的抛物线近似描写了弯曲硅单晶的粒子退道效应,进一步证实利用弯晶来偏转(或控制)带电粒子运动方向的可能性。导出弯晶的退道系数并讨论了它的可能应用。 关键词：     

双轴晶衬底上双轴晶单晶薄膜的椭偏测量

本文给出了两种测量双轴晶衬底上双轴晶单晶膜的折射率和膜厚的方法及测量的公式.我们利用这种方法测量了所研制的KTP光波导薄膜层的折射率和膜厚.     

基于麦克风阵列的宽带健壮自适应波束形成算法

研究了用于麦克风阵列语音增强的宽带健壮自适应波束形成算法。该算法结合频率聚焦技术和对角加载技术。在此基础上,通过优化最坏情况下的波束性能确定对角加载因子,求得了最优加载因子的近似解析表达式。和相关算法相比,使用最坏情况性能优化的算法具有更好的语音增强性能,由于求得了最优加载因子的解析解,还具有运算量低、容易实现等优点。同时,该解析解揭示了哪些因素可以影响最优加载因子,以及如何影响。计算机仿真验证了该结果的正确性和有效性。     

论广义Liénard系统的全局中心

本文讨论了广义Liénard系统的局部和全局中心,给出了两个定理,它们推广和改进了文[1—3]的结果.文中引理对研究广义Liénard系统解的震荡性,稳定性和极限环的存在性也是有用的.