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21.
Yong Zhang Yuanlong Mo Xiaolan Zhou Jianqing Li 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2003,24(12):2085-2094
Recently disk-loaded waveguide has been widely used in high-power traveling wave tubes (HPTWT). It has been shown in many experiments that the interaction efficiency and output power can be increased greatly by injecting plasma into the vacuum microwave device. Using field analysis, the dispersion characteristics and the interaction impedance of the disk-loaded waveguide filled with plasma are analyzed in a strong longitudinal magnetic field. In conclusion, the frequency of the TM01 mode increases as the density of the plasma increases. It also can be found when the plasma density increases to a large scale, the TM01 mode of the disk-loaded waveguide overlaps the TG mode, these two modes couple each other and form the new hybrid modes. 相似文献
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MANET(Mobile Ad hoc Network)中没有一个永久的中心机构,其网络拓扑结构不断变化,所以必须有一种能够对网络主机地址动态自配置和管理的协议。给出了在MANET中动态地址自配置与管理的方法,不同方案的特点及适应情况,最后对目前Ad hoc网络地址配置研究进行总结和展望。 相似文献
23.
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介绍了一种新的探测雷达最小作用距离的方法,打破了传统的最小跟踪距离受发射脉宽局限的限制,重点介绍对发射线性调频信号的雷达的近距离探测方法,并给出了仿真计算结果。 相似文献
25.
From its foundation until 2004, ETRI has registered over 1,000 US patents. This letter analyzes the characteristics of these patents and addresses the explanatory factors affecting their citation counts. For explanatory variables, research team related variables, invention specific variables, and geographical domain related variables are suggested. Zero‐altered count data models are used to test the impact of independent variables. A key finding is that technological cumulativeness, the scale of invention, outputs in the electronic field, and the degree of dependence on the US technology domain positively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents. The magnitude of international presence appears to negatively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents. 相似文献
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28.
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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
30.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献