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921.
燃煤电厂污染控制单元对汞释放的控制作用   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用Ontario-Hydro方法和半连续汞排放监测仪,研究了电厂现有污染控制单元,选择还原催化(SCR)、静电除尘(ESP)、烟气脱硫(FGD)对烟气中汞的脱除能力。实验结果表明,在SCR催化剂V2O5/TiO2的作用下,50%以上的Hg0被氧化成Hg2+,但SCR本身不能控制汞释放量;ESP通过对飞灰的捕获直接降低了烟气中颗粒汞的比例;FGD依据Hg2+易溶于水的性质,通过吸收烟气中的Hg2+控制总汞的释放,部分Hg2+和FGD系统中的亚硫酸盐等发生反应,被还原为Hg0,发生了二次汞释放问题,造成脱汞整体效率降低。研究中考察了SCR开闭两种状态下整个系统汞的释放量,发现SCR单元启用时,由于烟气中Hg2+的浓度较高,二次汞释放现象更严重。  相似文献   
922.
以L-苯丙氨酸为原料,经还原和关环反应合成了(S)-4-苄基-2-噁唑烷酮,总收率66%,其结构经1HNMR,13C NMR和HR-MS表征。  相似文献   
923.
利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al组分含量为0.63的AlGaN外延膜进行晶格参数的精确计算.通过对Al0.63Ga0.37N的对称晶面和非对称晶面进行ω/2θ扫描,以及对零点误差和晶面间距的修正,能够计算得到六方晶系Al0.63Ga0.37N外延膜的水平晶格常数a和垂直晶格常数c分别为0.31301 nm和0.50596 nm.通过对各种影响因素的分析和校正,可以得出二者的测量偏差分别为0.00001 nm和0.00002 nm.  相似文献   
924.
设p>0,s ≥ 0,q>max{-n-1,-s-1},本文探讨了单位球上F(p,q,s)空间的一种等价刻画和分解问题.具体结果为:(1) f∈ F(p,q,s)当且仅当f∈ H(B),且Ip=supa∈BB|Rα,γf(z)|p(1-|z|2q+pγ-p(1-|φa(z)|2sdv(z)<∞,其中α>-1 和γ>max{0,1-(q+s+1)/p,1-(q+n+1)/p}. (2) 若{dk}∈ ∫p,则存在序列{wk}⊂B,使得 f(z)=∑k=1(dk(1-|wk|2t+1)/(1-k>)t+(q+n+1)/p)(z∈B)属于F(p,q,s),其中t>max{1-1/p,0}(q+n+1)+max{1/p,1}s-1.  相似文献   
925.
In this paper, the authors consider the Gevrey class regularity of a semigroup associated with a nonlinear Korteweg-de Vries(Kd V for short) equation. By estimating the resolvent of the corresponding linear operator, the authors conclude that the semigroup generated by the linear operator is not analytic but of Gevrey class δ∈( 3/2, ∞) for t 0.  相似文献   
926.
针对国内20世纪80年代引进、大多采用齿轮马达和小规模集成电路实现控制的一类设备,提出了一种技术改造的方法,详尽地介绍了改造日本引进设备--阴极组焊机的过程.  相似文献   
927.
基于DSP2812的电源可靠性的硬件设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着电子技术的迅猛发展,微电子器件的供电电压逐渐降低,而供电复杂度也随之逐渐提高,这样就为电源设计带来了巨大挑战.文中介绍了一种基于DSP2812的电源解决方案,在电源可靠性方面达到了更高要求,应用现场取得了稳定的效果.  相似文献   
928.
尚鸿雁  张广军 《激光技术》2005,29(4):429-432
研究一维位置敏感探测器(PSD)的脉冲响应特性及脉冲光照射下光生电流输出的规律,对准确计算光的入射位置有着十分重要的意义。给出脉冲光函数的表达式,讨论了4种脉冲光模式照射下的PSD脉冲响应特性,并详细研究了“脉冲堆积”现象。结果表明,如果脉冲光照射时间远远大于PSD的响应时间时,光的入射位置满足一维PSD的转化公式;如果光照射时间小于PSD的响应时间时,只要满足照射时间大于2.5倍的时间响应常数,则停止照射的时间越短,光入射位置与PSD输出电流之间越接近线性关系。  相似文献   
929.
不同的人有不同的环境背景,因此有不同的远见,去完成心中的梦想。世腾认证集团成立至今仅6年,来自台湾的年轻少帅张文奇凭着胆识、魄力与远见,买地盖楼、并购实验室、打速度与价值服务战。开始为世腾抒写从无到有的创业传奇。  相似文献   
930.
在缺铁固体培养基中,可清楚地观察到水稻根表面的分泌物和根的形态变化以及侧根增多.为了从分子水平深入了解水稻受缺铁胁迫后的反应机理,对缺铁水稻根进行了10531个EST芯片的微点阵分析,发现膜泡相关的基因群相对转录表达率最高.利用超薄切片技术,在透射电镜下观察了缺铁胁迫下水稻根尖细胞的结构变化.结果显示:缺铁根尖细胞中,膜泡好似起源于质膜和囊泡的组装,然后在质膜上凸起,并且是双方向性的.膜泡表面有衣被.虽然正常供铁情况下也有膜泡出现,但与缺铁比较有很大区别.缺铁根尖细胞的膜泡明显大,膜泡和凹陷泡上有较清晰的衣被.同时还观察到在单层膜的膜泡内有管状和圆球形的内含物质.内含物的来源有可能,至少是部分通过内吞作用来源于细胞外基质.  相似文献   
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