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YANG Hong-guan DAI Da-kang YU Biao SHANG Lin-lin GUO You-hong 《半导体光子学与技术》2007,13(4):247-251,271
Based on the capacitive coupling formalism, an analytic model for calculating the drain currents of the quantum-dots floating-gate memory cell is proposed. Using this model, one can calculate numerically the drain currents of linear, saturation and subthreshold regions of the device with/without charges stored on the floating dots. The read operation process of an n-channel Si quantum-dots floating-gate nano-memory cell is discussed after calculating the drain currents versus the drain to source voltages and control gate voltages in both high and low threshold states respectively. 相似文献
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介绍了自主知识产权的1553B总线IP核的系统结构、实现方法与容错设计.IP核使用Verilog语言设计,可在10万等效门以上的现场可编程逻辑芯片上实现.其他自行研制的1553B解决方案均建立在嵌入式处理器或DSP基础上,其协议芯片仅完成数据链路层功能.本IP核不但可进行数据链路层操作,而且一经配置即可完成大部分传输层工作,并具备内建自检测能力.在实验系统中可无缝替换Aeroflex/UTMC的UTl553B BCRTM商用芯片. 相似文献
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基于CMOS反相器结构跨阻放大器,提出了一种低噪声大动态范围跨阻放大器电路结构。对电路进行跨阻分析和噪声分析,从而指导电路设计。采用XFAB 0.6μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence SpectreS环境下进行电路设计、版图设计、仿真验证等。测试结果表明,该电路静态功耗为112 mW,最大跨阻增益为91.2 kΩ,带宽为146.7 MHz(-端)及168.4 MHz(+端),波形失真小。该电路已经运用到光接收机中,性能良好。 相似文献
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