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901.
催化动力学光度法测定抗癌中草药中痕量硒 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了硒催化溴酸钾氧化甲基橙反应体系测定痕量硒的方法,并探索了该反应的动力学条件。硒浓度在0.8-8.4μg·L-1范围内与Ig(A。/A)呈线性关系,方法灵敏度为0.687μg·L-1。用于抗癌中草药中硒的测定,结果满意。 相似文献
902.
904.
905.
设计了一种基于IEEE 802.15.4a标准的脉冲发生器,包括脉冲产生、BPSK调制、低通滤波三个部分。提出多路脉冲合成方法,降低了对基带工作速度的要求。提出一种适用于该协议的BPSK调制电路,将极性调制到脉冲上,同时可实现脉冲的单端转差分功能和脉冲幅度调节。设计了基于反相器跨导的Gm-C滤波器,滤除脉冲的高频成分。最后研究了电路的低功耗方案,可动态开启或关闭电路,降低了电路功耗。基于0.18 μm CMOS工艺进行电路设计。后仿真结果表明,产生的脉冲经过互相关后,主瓣宽度为1.35 ns,消耗电流约为7.1 mA,通过动态管理,电流最低可降至0.3 mA左右。 相似文献
906.
907.
角位移的跟踪测量在工程中应用较为广泛,利用PD校正器、PID校正器、H(s)闭环反馈控制三种方法,对角位移跟踪控制系统进行优化,结果均能改变系统发散振荡的状态,使系统能够满足生产实际中的要求。 相似文献
908.
等离子体平板显示器的新发展 总被引:5,自引:1,他引:4
介绍了世界上等离子体平板显示器(PDP)技术的一些新发展以及中国PDP的研究现状,并针对中国情况提出了一些建议。 相似文献
909.
薄膜材料研究中的XRD技术 总被引:1,自引:0,他引:1
晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。 相似文献
910.
在电子装联中,焊点湿润角、焊接温度、焊接时间是影响焊接质量的三个重要因素,只有正确掌握这三个重要因素的最佳参数值就可以达到提高焊接质量的目的。另外,通过对在电气质量检验工作中遇到的八种类型常见的不合格焊点以图文并茂的形式进行了质量分析,可对提高电气质量检验有很重要的参考作用。 相似文献