高稳定度激光器驱动器的研究与设计

本文介绍了一种实用型基于单片机的高稳定度半导体激光器驱动器.该驱动器由单片机进行程序化控制.末级电路采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.最后对输出电流的稳定度进行了分析,输出电流长期稳定度可达到4.O×10-5以下.     

双官能度引发剂引发苯乙烯聚合微观动力学

采用 2 ,5 二甲基 2 ,5 二己酰基过氧化己烷 (DMDEHPH)为引发剂 ,在 5 5～ 80℃下引发苯乙烯聚合 .通过研究影响聚合速率的各种因素 ,得出了聚合速率对单体浓度和引发剂浓度的级数分别为 1 0和 0 5次、聚合活化能为 92 0kJ mol、引发效率为 0 5 5± 0 0 3.温度一定 ,引发效率随引发剂浓度的增加而减小 .求得 6 0和70℃下DMDEHPH向引发剂的链转移常数分别为 0 0 37和 0 0 4 8、向单体的链转移常数分别为 0 5 9× 10 - 4和0 75× 10 - 4.     

原子吸收光谱法测定茶叶中的镁

镁是机体必不可缺的元素。采用原子吸收光度法对我国一些常见茶叶中的镁进行了测定 ,镁含量为1.2 9— 2 .0 7(mg/kg) ,茶汤中镁的浸出率在 14 .2— 5 1.8%。与一般食物相比 ,茶叶中镁含量更丰富 ,因此饮茶可延年益寿。     

液液微萃取-甲基衍生化/气相色谱法对水中氯代酸除草剂的测定

在pH大于12的条件下使水样中的氯代除草剂全部水解为盐,用正己烷和甲基叔丁基醚混合溶剂提取有机杂质,再在酸性条件下经5 mL甲基叔丁基醚提取,重氮甲烷甲基衍生化30 min后用带微电子捕获检测器的毛细管气相色谱分析,以4,4-二溴八氟联苯为内标物进行定量.茅草枯、麦草威、2,4-D、五氯苯酚的质量浓度分别在5.0 ～500、1.0 ～200、5.0 ～500、0.5 ～100 μg/L范围内与色谱峰面积呈良好的线性关系(r= 0.994 5 ～0.998 0),检出限分别为1.0、0.5、1.0、0.1 μg/L.用该法测定南京玄武湖水样中的茅草枯,其质量浓度为7.1 μg/L,4种被测组分在高、中和低添加水平下的回收率分别为102% ～105%、96% ～110%、87% ～109%.同时建立了一种生产重氮甲烷的新原料--N-亚硝基-N-甲基脲的简易方法.     

新型3-C-支链呋喃核糖衍生物的立体选择性合成

在KF存在下,3-氧化木糖与亲核试剂发生加成反应,立体选择性地合成了4个新型3-C-支链呋喃核糖衍生物(2～5,其中4用生物方法脱苯甲酰基保护得6),其结构经1H NMR, IR, HR-MS表征;2的绝对构型由X-射线单晶衍射分析确证.     

基于多层聚焦Inception-V3卷积网络的细粒度图像分类

细粒度图片具有结构多变、背景干扰大、类间差异小、类内差异大等特点,准确地定位与提取判别性局部特征至关重要.本文提出一种多层聚焦卷积网络,通过首层聚焦网络能够准确、有效地聚焦于识别局域并生成定位区域,根据定位区域对原图像分别进行裁剪和遮挡后输入下一层的聚焦网络进行训练分类.其中单层聚焦网络以In-ception-V3网络...     

氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析

对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E₂模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。     

EAST上基于端口密度测量的低杂波耦合研究

介绍了一套安装在EAST装置低杂波天线端口上方,用来测量端口附近电子密度的Langmuir三探针系统及其初步实验结果。此探针系统由探针、测量电路、数据采集以及数据处理四部分构成。实验结果表明：在低杂波天线端口充气的条件下,低杂波注入后端口密度会有明显的增加。端口密度与反射系数的关系与理论趋势一致,EAST上低杂波耦合的最佳密度出现在4~5×10¹⁷m^-3。     

高温高压下天然峨眉山玄武岩的阻抗谱实验研究

利用交流阻抗谱技术,对矿物岩石电导率进行原位测量,是探究地球内部电学性质的重要手段.本文在0.5～2.0 GPa、823 ～1173 K和10-1～106 Hz下,对天然峨眉山玄武岩样品进行了阻抗谱研究.结果表明:在实验温压范围内,样品的阻抗对频率有很强的依赖性;电导率值(10-2.5到10-0.5 S/m)随温度的升高而增大,两者符合Arrhenius关系;随压力升高,样品的电导率降低.通过拟合计算,获得了表征样品电学性质的指前因子、活化焓、活化体积等物性参数.结合前人研究结果,对样品的导电机制进行了合理的解释.