基于时间反转的MIMO雷达实值MUSIC算法

针对时间反转(TR)多输入多输出(MIMO)雷达多重信号分类(MUSIC)算法计算量庞大的问题,提出一种基于时间反转的MIMO雷达实值MUSIC算法。首先,通过采用降维思想对TR MIMO回波信号进行降维处理,来减少计算量;然后,为将协方差矩阵转化到实数域,构造酉变换矩阵进行实值变换;最后,分解出实值协方差矩阵的噪声子空间,构造谱函数估计信号波达角。相对于传统的MUSIC算法,该算法借助实值变换剔除了复数运算,极大地降低了计算量,而且不需要空间平滑降低阵列孔径就具有解相干的能力。仿真结果证实了算法的正确性。     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

基于A*算法的条件道路选择探究

针对目前GPS系统只能设置起点和终点进行路径搜索的问题,文章对A*算法进行改进,为路径搜索功能添加用户期望途径点,令得到的最优路线途经用户的指定地点。改进算法对原本的启发式函数进行调整,加入期望值概念和当前点与途经点的欧氏距离,并将是否通过途径点作为判断条件。结果表明,改进算法可以成功执行,为GPS系统开拓新的功能。     

RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系

为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。     

ACTIVE CONTROL OF A FLEXIBLE CANTILEVER PLATE WITH MULTIPLE TIME DELAYS

Active control of a flexible cantilever plate with multiple time delays is investigated using the discrete optimal control method. A controller with multiple time delays is presented. In this controller, time delay effect is incorporated in the mathematical model of the dynamic system throughout the control design and no approximations and assumptions are made in the controller derivation, so the system stability is easily guaranteed. Furthermore, this controller is available for both small time delays and large time delays. The feasibility and efficiency of the proposed controller are verified through numerical simulations in the end of this paper.     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

光折变多量子阱的电吸收栅和电折变栅

在光折变多量子阱中，通过Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应可写入电吸收栅和电折变栅。基于二波耦合理论，精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程，近似计算了Ｒａｍａｎ－Ｎａｔｈ高阶衍射光强。     

PDP荧光粉的研究进展及存在问题

综述了目前研究和使用的PDP荧光粉的类型和制备过程,介绍了PDP荧光粉的表征方法、设备和荧光粉的性能,最后指出了PDP荧光粉中存在的问题.     

一种新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET阈值电压解析模型

通过在圆柱坐标系中精确求解泊松方程,建立了全新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET静电势,电场以及阈值电压的解析模型。与采用抛物线电势近似法得到的解析模型相比,当沟道半径远大于氧化层厚度时,新模型更为精确。模型还考虑了Halo区掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道半径对器件阈值电压特性的影响。结果表明,采用中等程度的halo区掺杂浓度、较薄的栅氧化层以及较小的沟道半径可以有效改善器件的阈值电压特性。解析模型与三维数值模拟软件ISE所得结果高度吻合。