首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   524581篇
  免费   4173篇
  国内免费   1518篇
化学   205390篇
晶体学   6871篇
力学   26295篇
综合类   7篇
数学   85328篇
物理学   145051篇
无线电   61330篇
  2021年   3505篇
  2020年   3778篇
  2019年   4246篇
  2018年   21931篇
  2017年   22132篇
  2016年   16682篇
  2015年   5753篇
  2014年   8044篇
  2013年   17435篇
  2012年   19518篇
  2011年   34300篇
  2010年   23276篇
  2009年   23736篇
  2008年   29085篇
  2007年   34212篇
  2006年   14836篇
  2005年   19526篇
  2004年   16110篇
  2003年   15355篇
  2002年   12678篇
  2001年   12613篇
  2000年   10053篇
  1999年   7786篇
  1998年   6776篇
  1997年   6529篇
  1996年   6213篇
  1995年   5402篇
  1994年   5276篇
  1993年   5129篇
  1992年   5508篇
  1991年   5629篇
  1990年   5343篇
  1989年   5083篇
  1988年   4768篇
  1987年   4546篇
  1986年   4229篇
  1985年   5261篇
  1984年   5305篇
  1983年   4435篇
  1982年   4432篇
  1981年   4132篇
  1980年   4029篇
  1979年   4283篇
  1978年   4264篇
  1977年   4156篇
  1976年   4132篇
  1975年   3937篇
  1974年   3830篇
  1973年   3903篇
  1972年   2780篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
In order to investigate the characteristics of force chains in a granular flow system, a parallel plate shear cell is constructed to simulate the shear movement of an infinite parallel plate and observe variations in relevant parameters. The shear dilatancy process is divided into three stages, namely, plastic strain, macroscopic failure, and granular recombination. The stickslip phenomenon is highly connected with the evolution of force chains during the shear dilatancy process. The load–distribution rate curves and patterns of the force chains are utilized to describe the load-carrying behaviors and morphologic changes of force chains separately. Force chains, namely, “diagonal gridding,” “tadpole-shaped,” and “pinnate” are defined according to the form of the force chains in the corresponding three stages.  相似文献   
112.
S. D. Campos 《中国物理C(英文版)》2020,44(10):103103-103103-10
This work presents the subtraction procedure and the Regge cut in the logarithmic Regge pole approach. The subtraction mechanism leads to the same asymptotic behavior as previously obtained in the non-subtraction case. The Regge cut, in contrast, introduces a clear role to the non-leading contributions for the asymptotic behavior of the total cross-section. From these results, some simple parameterization is introduced to fit the experimental data for the proton-proton and antiproton-proton total cross-section above some minimum value up to the cosmic-ray. The fit parameters obtained are used to present predictions for the \begin{document}$ \rho(s)$\end{document} -parameter as well as to the elastic slope \begin{document}$ B(s)$\end{document} at high energies.  相似文献   
113.
An automated system for integrated electrophysical and optical studies of semiconductor nanoheterostructures, which operates in a wide temperature range from 15 to 475 K, is designed. The setup is intended to measure the temperature and frequency admittance and electroluminescence spectra of light-emitting diode and laser chips formed on substrates of diameter up to 50.2 mm, and the distribution of parameters over the wafer. The setup includes the closed-cycle helium cryogenic station, LCR meter, and temperature controller. The characterization results of nanoheterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells, which are used for creating highly efficient white and blue light-emitting diodes, are presented.  相似文献   
114.
115.
116.
117.
118.
Molecular dynamics simulation was performed to study the formation of cluster structure, interfaces, and surfaces with different curvature radii in a perfect nanocrystal passed through by a nonlinear wave. It is shown that this process is a type of nanostructure self-organization in response to an external energy flux with subsequent development of a strong rotational field.  相似文献   
119.
120.
Shinkorenko  A. S. 《JETP Letters》2022,116(10):759-759
JETP Letters - An Erratum to this paper has been published: https://doi.org/10.1134/S0021364022400028  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号