石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析

 利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物，并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应，以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现：高压下随着温度的升高，反应产物中出现再结晶石墨，其晶化程度逐渐提高；但没有出现再结晶六角氮化硼，也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下，石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散，它们与水高压反应时，能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象，但都没有形成B-C-N晶化结构。     

数学分析中的一题多解问题

通过两个积分 (一个是不定积分 ,一个是定积分 )及一个极限 ,说明如何灵活使用积分法解决积分问题 ,方法灵活、巧妙 ,适用范围广 .     

Characterization of oxide thin films using optical techniques

Thin films of oxide materials are playing a growing role as critical elements in optoelectronic devices and nanoscale devices. In this work, thin films of some typical oxides such as WO₃, Ga₂O₃ and SrTiO₃ were investigated. We present measurements of those films, using various optical techniques like photoconductivity transients over a wide time range and photo-Hall measurements. Analysis of the photo-Hall and photoconductivity data permits the determination of the contribution to the photoconductivity made by the carrier mobility and concentration. A model for dispersive carrier transport was proposed to explain the relaxation of the photoconductivity in oxide thin films. In addition, photoluminescence characterization was used to study microstructures and energy band in oxide thin films. The broad emission from oxide host, consisting of several band peaks, was likely due to a recombination process with several possible paths. The dependence of the luminescent intensity on the annealing atmosphere was associated with the presence of oxygen vacancies. It is suggested that our optical analysis efforts have improved the understanding of oxide thin films, and this should lead to the necessary advancements in a variety of devices.     

寡头垄断市场排污收费的政府调控模型

基于完全信息博弈理论,阐述了寡头垄断市场的排污收费古诺模型.建立了具有政府宏观调控机制的博弈模型,并对调控效果进行了分析.     

双原子分子离子SiC-激发态A2Ⅱ的势能函数的变分研究

根据能量变分的思想,将双原子分子离子XY 的新解析势能函数ECMI势和关于离子XY 的能量自洽法(Energy-consistent-method for ion, ECMI)推广到双原子分子离子XY-的势能函数研究之中,具体研究了双原子分子离子SiC-激发态A2∏的势能函数,并与将中性双原子分子的势能函数如Morse势和Huxley-Murrrell-Sorbie (HMS)势直接用于双原子分子离子XY-的结果和ab initio计算结果进行了比较.结果表明,ECMI势和ECMI方法对双原子分子离子XY-的势能函数研究同样是成功的,在重要的渐近区和离解区优于中性势能函数,与精确的ab initio结果一致.     

Mn替代对Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性的影响

通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性.研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.对x=1,2的样品采用X射线热膨胀测定法在104-647K的温度范围内测量了其热膨胀性质,发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象,在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩,随着Mn含量的增加,其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降.     

二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构

金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论，详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构，给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式，并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时，与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词： 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件     

Preparation and Mechanical Properties of Fe3Al Nanostructured Intermetallics

Nanostructured Fe₃Al intermetallic compounds were produced by using hydrogen arc plasma method. The transmission electron microscopy experiments showed that the average particle size of the as-synthesized was about 40-nm. The change in hardness of Fe₃Al nanostructured intermetallic compounds with annealing temperatures was observed and evaluated.     

从模式I2C总线接口电路设计及其VLSI实现

提出了一种从模式的I^2C总线接口电路，该接口电路实现了对可变参数ASIC芯片的配置。该电路的设计使得可配置的ASIC芯片中参数配置所需要的芯片管脚大大减少。该方案已通过行为仿真和综合后门级时序仿真，并且用无锡上华0.6μmCMOS工艺实现。