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W. Palmaer E. Heyn O. Bauer H. E. Searle F. L. La Que W. R. van Wijk H. J. Lodeesen Nathalie Goldowski H. Fournier H. Thyssen J. Bourdouxhe E. Naumann U. R. Evans und W. Blum 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1939,116(5-6):216-221
Ohne Zusammenfassung 相似文献
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TiO2/organically modified silane organic–inorganic hybrid films doped with different disperse red 1 contents are prepared by combining
a low-temperature sol–gel method and a spin-coating process. Effects of the disperse red 1 content on the third-order nonlinear
and the planar waveguide properties of the hybrid films are also studied by a z-scan technique and a prism coupling technique.
Results indicate that the nonlinear refractive index of the hybrid films is negative, whose magnitude is of the order of 10−8 esu for the measured samples. It is suggested that both the thermal effect and the photoisomerization process contribute
to the third-order nonlinear optical properties of the hybrid films jointly. It is also found that the refractive index and
the thickness of the hybrid films decrease with an increase of the temperature as the independent variable. In addition to,
optical absorption properties of the hybrid films are characterized by UV–Visible spectroscopy. These results indicate that
the as-prepared hybrid films are promising candidates for photonic applications. 相似文献
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37.
38.
Phosphorus gettering of precipitated Cu in single crystalline silicon based on rapid thermal process
In this paper, we have investigated the effect of phosphorus diffusion gettering on the precipitated Cu in silicon via rapid thermal process (RTP). It is found that, for dot-like or star-like precipitates, the RTP-based phosphorus diffusion technique is efficient for gettering out the precipitated Cu. A two-step RTP gettering process is much more effective than a single-step RTP process. Furthermore, the choice of oxygen ambient can enhance the Cu gettering efficiency due to the involvement of considerable self-interstitial silicon atoms. The minority carrier lifetime of the sample subjected to RTP-based phosphorus gettering has also been verified to be significantly enhanced. These results are of interest for the gettering engineering of high-efficiency silicon solar cells. 相似文献
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采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律. 红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃. 同时,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示,快冷(30K/s)时,形成高密度的小铜沉淀团;而慢冷(0.3K/s)导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度. 最后,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理. 相似文献