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82.
Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
83.
设函数f(w)为凸区域D内的单叶解析函数,对于2≤n≤8和所有w∈D,本文得到估计式|f(n)(w)/f'(w)|的精确上界.这个结果推广了一些已知的结论. 相似文献
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85.
林苗 《电气电子教学学报》2002,24(1):43-45
阐述了我校使用“面向21世纪”电工学课程系列教材的实践与探索过程,以及对我校电工学教学所产生的转折性影响和积极的导向作用,最后对教材提出了几点建议。 相似文献
86.
87.
网络环境下的物理实验教学模式 总被引:4,自引:2,他引:2
目前网络环境下的物理实验教学新模式主要有物理实验专题网站、实验教学网络管理、实验类网络课程及远程控制物理实验.本文简要介绍了各个模式的特点及实施方法. 相似文献
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89.
The structural evolution in amorphous silicon and germanium thin films has been investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) in conjunction with autocorrelation function (ACF) analysis. The results established that the structure of as-deposited semiconductor films is of a high density of nanocrystallites embedded in the amorphous matrix. In addition, from ACF analysis, the structure of a-Ge is more ordered than that of a-Si. The density of embedded nanocrystallites in amorphous films was found to diminish with annealing temperature first, then to increase. The conclusions also corroborate well with the results of diminished medium-range order in annealed amorphous films determined previously by a variable coherence microscopy method. 相似文献
90.
Hui-Wen Lin 《Transactions of the American Mathematical Society》2002,354(5):1861-1868
In this article, we find some diagonal hypersurfaces that admit crepant resolutions. We also give a criterion for unique factorization domains.