大电流电动汽车电池充电电流电压反馈系统设计

针对电动汽车厂家研发了电动汽车电池充电系统,设计了一种大电流低电压电池充电系统。系统采用了PIC16F877A单片机作为电子控制单元核心,对规格为50 A、3.7 V的电池组进行充电。重点对电流电压采样电路进行了设计和研究。通过建立采样电路的仿真模型。并用实际电压电流数据对本采样系统进行了验证。实验证明,系统提出的电流电压采样具有较高的精度、线性度,且能满足长期稳定运行的实际需求。     

ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响

讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。     

推进器辅助系泊系统的动态张力控制

在良好的环境条件下,无推进器锚泊系统足以完成定位。然而,随着石油生产发展到深水区海域,这种超尺寸的锚泊系统就不适用了。因此,必须发展"混合动力"方法,即利用推进器补偿来设计更轻量级的锚泊系统。提出了在动力辅助锚泊系统中,通过动态控制锚泊线张力的方法来减少能量消耗,根据无源性推导出一个参考自适应控制策略。仿真包含并采用了船舶刚体子模型和锚泊有限元子模型。仿真结果验证了使用动态锚线张力的可行性。     

基于三维仿真的飞行姿态与航迹监控软件的设计

三维仿真技术在试飞试验领域越来越得到重视与应用。本文介绍了基于三维仿真技术的飞行姿态与航迹监控软件的总体设计结构,并着重阐述了主要组成模块的功能、设计方法与应用效果。该软件的成功研制,使得能够从全局的角度对目标试验机的姿态、位置及系统状态进行掌控。同时,利用回放能够逼真再现飞行全过程,可作为飞行演示和事后分析的一种手段。该软件在提高试飞效率和保障试飞安全方面发挥着重要作用。     

基于NoC的众核处理器可靠性仿真分析研究

随着半导体制造工艺的发展,众核芯片上的晶体管密度不断增加,随之而来的寿命可靠性问题日益严重。为了准确评估芯片的可靠性,本文提出了一种基于蒙特卡洛方法的系统级可靠性仿真框架,并在此基础上研究了No C通信架构对可靠性的影响。实验结果表明,如果不考虑众核芯片的No C通信结构,系统级可靠性评估的相对偏差最高可达到60%左右。     

基于ZigBee的岩心扫描仪监控系统设计与实现

岩心扫描仪在石油地质部门得到广泛应用,但一直缺乏有效的监控设备,以监测岩心扫描仪的工作状态且提供方便的控制方式。针对该问题,比较了常用的几种2.4 GHz无线通信技术,设计了一种基于ZigBee的岩心扫描仪无线监控系统。该系统采用CC2530作为核心芯片,详细设计了整个系统的硬件与软件,并进行相应的测试。测试结果表明,该系统能够完成对岩心扫描仪温湿度的监测和无线控制,并具有组网快速、可靠等优点。     

纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究

采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95％Ar,5％H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大.     

基于分布式结构的Zoom FFT及其FPGA实现

复调制Zoom FFT算法在导弹精确制导、防撞雷达等领域有着广泛的需求,是谱估计理论中的关键技术之一。针对传统Zoom FFT算法运算量大、处理速度低和占用资源大的缺点,提出了一种适合于FPGA实现的Zoom FFT算法结构,该结构利用分布式算法实现抗混叠滤波、利用DDS技术实现数控本振信号的产生、利用基-4蝶形算法实现FFT变换,并对该算法结构用硬件描述语言进行了设计、封装。算法仿真和硬件测试结果表明,基于分布式滤波结构构造的Zoom FFT模块,其细化谱分析的精度高、处理速度快和占用资源少,且参数化设计,能够实现真正意义上的实时谱分析,特别适合于离散密集频谱的细化分析与校正。     

云技术在广播电视监测监管的应用与研究

本文探讨云技术在广播电视监测监管中的应用范围,以及通过云技术解决现有监测监管难点和问题的思路.     

0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计

设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。