影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.     

斜端面光纤耦合效率理论与实验研究

应用场耦合方法模拟计算了不同光纤斜端面角度下半导体激光器的耦合效率,并进行了实验测量.结果表明,不同的光纤斜端面角度下,对半导体激光器的耦合效率影响很大,根据不同的芯片参数合理选择不同的斜端面光纤可以得到尽可能高的耦合效率.     

超短光脉冲感应级联五阶非线性相移分析

由于群速度失配的影响,飞秒光脉冲在感应到FONPS（级联五阶非线性相移）的同时,将不可避免地发生脉冲畸变.通过理论分析及数值模拟,提出了使级联五阶非线性过程运行在较大相位失配条件下的解决方案,成功地消除了脉冲畸变.并且借助于该过程中倍频效率的提高,有效地补偿由于相位失配量的增大所造成的FONPS的下降,实现飞秒基频光脉冲在感应到大的FONPS的同时无脉冲畸变发生.     

一类随机动态过程基于q阶树的多尺度建模方法

利用多尺度随机模型能建立处理问题有效并行算法的这一优势,提出一类随机动态过程基于一般q阶树的多尺度建模方法。首先,利用Markov过程的条件独立性给出一类过程基于q阶树的多尺度表示方法;其次,基于q阶树多尺度表示和具体实例推导出多尺度模型中的状态转移矩阵、扰动阵、初始状态和相应的协方差矩阵等的具体形式,为具有Markov统计特性的过程或信号建立起多尺度随机模型,这将为有效地解决多源同类信息和多源异类信息的数据融合等实际问题提供了理论基础;最后,给出一类Gauss-Markov过程基于三阶树和五阶树多尺度表示的计算机仿真结果,进一步验证建立模型的实用性和有效性。     

微量Ag对Al-Li-Mg-Zr合金滑移变形的影响

在Al-Li合金中添加适当的合金元素,使之促进沉淀相的析出或改变强化相的分布状态,是改善合金性能的有效方法[1～4],本文在对含Ag和不含Ag的Al-Li-Mg-Zr合金进行微观结构和力学性能测试的基础上,对其滑移变形行为进行了对比分析。实验方法1.实验合金的化学成份(wt.-%):合金A:Ag0.00,Li1.49,Mg4.35,Zr0.12,余Al。合金B:Ag0.47,Li1.63,Mg4.63,Zr0.12,余Al。2.合金铸锭均经均匀化处理(480℃),轧制成2mm厚板材;经520℃/3min固溶处理,水淬:170℃/3,6,12,24h人工时效处理,其中一部分样品在室温下自然时效7200h,制6mm×2mm(宽×厚)样品,扭转…     

GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究

研究了在ＧａＡｓ（００１）衬底上外延生长ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料过程中反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）的各级条纹及其强度随生长过程的变化。通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果：生长表面形貌的周期性变化导致了ＲＨＥＥＤ各级条纹及其强度的周期性变化。     

用于无绳电话的嵌入式锁相频率合成器

设计了一种用于无绳电话的锁相频率合成器,可以基于ＢｉＣＭＯＳ工艺与高频接收模拟电路实现单片集成。着重讨论了鉴频／监督相器的原理、死区、最大频率限制及其输出电路。给出了硬件实现的具体线路图,并对模拟结果进行了讨论。     

基于真实数据的天文教学实践探索

介绍在利用斯隆数字巡天数据进行宇宙探索的教学和研究案例的基础上,以真实数据平台万维天文望远镜为例,描述华中师范大学天文学类课程基于真实数据的天文教学实践探索,主要从WWT平台提供良好的资源环境、是良好的信息加工工具、是良好的研发平台3个方面予以陈述.     

创新实验:生物质吸附材料的制备与吸附性能初探

联系生活实际设计一个创新实验，探索生物质吸附材料及其改性，通过原料的预处理、吸附材料的制备和吸附实验锻炼学生的观察能力、分析能力和动手能力，让学生熟悉无机化学和分析化学中的一些基本实验操作，掌握紫外-可见分光光度计的使用，通过创新实验激发学生的科研兴趣，为大学生创新能力的开发和培养提供平台。     

降低帧频减轻快门式3D液晶显示串扰的方法及验证

文章提出了一种通过降低帧频来减轻快门式3D液晶显示串扰的方法,并进行了实验验证。