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基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献
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基于节点特性的LR-WPAN网络能量优化路由算法 总被引:3,自引:0,他引:3
针对ZigBee网络混合路由算法的不足,考虑低速无线个域网(LR-WPAN)网络的能耗问题,提出了一种基于ZBR路由协议的改进算法(F-ZBR).本算法通过定义最小路由能量值和控制路由请求分组(RREQ)的传输方向、跳数以及在RREQ分组中加入能量标志位等措施,降低网络的整体能耗.仿真结果表明,F-ZBR算法的分组投递率、网络可用节点比率和网络剩余能量都较ZBR有明显提高,从而可以延缓ZigBee网络中大量数据传输造成的RN+节点能量过度损耗而导致的网络瘫痪等问题的发生,延长网络生命周期. 相似文献
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聚芴类半导体光谱稳定性 总被引:2,自引:0,他引:2
有机半导体的物理和化学性质直接影响其光电器件的性能, 这为物理化学提出了新的研究内容与挑战. 其中, 聚芴类蓝光二极管的光谱稳定性及低能发射带(LEEB)的起源问题是国际上近十年的热点问题之一. 本文系统概述了低能发射带的现象、表征方法以及可能的形成机理, 包括链间作用导致的激基缔合物发射、器件制备或降解过程形成的芴酮缺陷发射、芴酮聚集态发射以及聚芴端羟基界面氧化导致的绿光发射. 本文综述各种物理掺杂和界面调控改善聚芴类二极管蓝光稳定性的策略, 着重论述非平面基团的空间位阻、分子构象与链的拓扑结构以及引入抗氧化受阻胺光稳定剂来提高其光谱稳定性策略. 相似文献
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