16位∑-Δ模数转换器AD7705及其校准

AD7705是AD公司推出的16位高性能、低功耗∑-ΔA／D转换器。具有增益可编程放大器，可通过编程直接测量传感器输出的微弱信号。介绍了AD7706的基本特点、结构以反常用片上寄存器的格式与编程注意事项。自校准和系统校准可消除偏置和增益误差，由于现场每件变化不定，还详细介绍了适用于特定条件的现场校准与手动校准，最后给出了数据手册中没有的手动校准实例。     

压电式电/气转换器挡板的疲劳性能实验研究

以压电式电/气转换器上承受变载荷的压电复合圆盘为研究对象,设计了测试其电疲劳性能影响因素的正交实验,并利用压电陶瓷电疲劳机理对实验结果进行了分析.通过全尺寸模拟疲劳实验,测出了影响其疲劳 性能的显著性因素、次要因素以及摈弃因素.结果表明,频率对其性能影响与实验误差的影响基本相同,可忽略,为以后提高加载频率加快实验速度提供了实验依据.     

被动调Q绿光激光器稳定输出方法的研究

对一台LD泵浦的Cr∶YAG被动调Q绿光激光器 ,采取Cr∶YAG晶片按布氏角放置的方法控制用以引发Q脉冲形成的“噪声” ,实现了绿激光脉冲的稳定输出。在泵浦功率 80 0mW时 ,获得平均功率 4 8mW、脉冲宽度 2 6 .7ns、重复频率 4 2 .1kHz、峰值功率 4 2 .7W的绿激光脉冲输出 ,4h工作脉冲能量、峰值和周期稳定性均优于± 0 .5 %。     

XeF（C-A）蓝绿激光对可见光面阵CCD软损伤的实验研究

建立了脉冲激光辐照CCD器件实验平台,采用XeF（C-A）蓝绿激光辐照可见光CCD,获得CCD出现软损伤（局部饱和、全饱和、串扰及致眩）的激光能量密度阈值或量级及对应的CCD图像,用饱和面积法分析了蓝绿激光对CCD的软损伤效应。     

亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响

酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。     

激光制备原位自生NbC-VC颗粒增强镍基熔覆层

采用预涂粉末激光熔覆技术,在A3钢表面制备出原位自生NbC-VC颗粒增强的镍基复合涂层。使用扫描电镜、电子能谱、和X射线衍射仪对熔覆层的显微组织和物相构成进行了分析,并对熔覆层进行了硬度、摩擦性能测试。结果表明,原位生成NbC-VC颗粒增强镍基复合涂层与基材呈现良好的冶金结合,熔覆层底部组织为定向生长的γ（NiFe）树...     

基于Multisim7.0软件平台的电子电路设计型实验研究

介绍了EDA(电子设计自动化)技术中Multisim7.0软件平台的功能特点.利用EDA技术进行设计性实验的研究与开发,是改革传统电子电路实验教学模式的有效途径,能帮助学生掌握最先进的电子电路设计方法和技能.结合EDA技术在电子电路设计型实验中的应用实例分析,阐明了利用Multisim7.0软件平台进行电子电路设计的优越性,其方便的更改电路和元器件参数的能力,使得能够更快更好地进行电子电路设计与仿真分析,同时缩短设计电路的时间,因而是一种全新的培养学生实际动手能力的有效工具.     

用扫屏放气性能表征彩显管真空质量的测试方法及其应用研究

简介了测试扫屏放气性能的原理、装置、方法、数据处理过程与误差分析.应用研究表明,寿命初期(25 h内)的扫屏放气性能就能表征彩显管的真空质量,用它可判断或比较制屏工艺与材料(包括排气工艺与设备)的优劣,预估因真空因素导致失效的整管寿命水平.这种快速信息反馈方法,比"加速寿试"更能及时地反映工艺或材料变更对成品管带来的影响.     

基于FPGA的光互连网络技术研究与性能分析

研究了基于Xilinx Virtex-5 FPGA的光互连网络技术,通过FPGA板内的高速串行收发器连接SFP光收发模块,实现高速串行数据收发,每通道的传输速率达到3.125Gb/s,提出并实现了基于FPGA的四节点单向环形光互连网络.在ISE设计环境下,设计了基于两块FPGA板的FFT运算应用和基于四块FPGA板的具有随机消息分布特性的网络应用,完成了光互连网络的性能测试分析.     

基于二维表面等离子体激元的微结构

在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 ,并得到基于二维表面等离子体激元的可见波段半导体发光的增强作用