激光能量对反钙钛矿GaCMn_3薄膜结构与物性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.     

一种支持QoS的拓扑自适应动态组播路由算法

YAM、QoSMIC、DSDMR等一类支持QoS的动态组播路由算法允许组播成员动态地加入和离开，同时为接收方提供多个可选择的组播接入路径，以满足不同应用的QoS需求。但这些算法普遍存在控制信令开销大和结点加入时延长，可扩展性不好等问题。本文在分析这些算法的基础上，提出改进的支持QoS的动态组播路由算法，即拓扑自适应动态组播路由（Topology Adaptive Dynamic Multicast Routing，TADMR）算法。该算法避免了以往算法中大部分盲目的路径搜索，并使结点加入时延不再受限于固定的等待时钟，而与网络拓扑相自适应。性能分析和仿真结果表明，该算法具有较低的控制信令开销和结点加入时延，适用于各种网络规模和群组规模，具有良好的可扩展性。     

液晶光阀光电导层光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。     

High Voltage Pulse Power and the Technics for the Capacitor Power-Storage Type

Lower hybrid wave （LHW）, electro cyclotron （EC） and neutral beam injection （NBI） etc. are the important methods of auxiliary heating. They would be devoted to the HL-2A tokamak step by step. In order to satisfy the debug of each system and the need of the experiment, the system should be equipped with high voltage pulse power （HVPP） according to the requirement.     

石灰石闪蒸改性及脱硫性能的试验研究

本文对3种不同产地的石灰石进行了闪蒸改性处理,对改性石灰石颗粒的孔径分布进行了测定,研究了压力、温度等参数对石灰石闪蒸改性的影响。并在气流反应器上对闪蒸后的样品进行了硫化试验。结果表明,在一定的压力和温度下,闪蒸处理能够增大石灰石颗粒的微孔孔径,并使石灰石样品的脱硫性能得到较大提高。     

半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法

半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。     

彩色等离子体显示器的新进展

扼要地介绍了近年来世界上各大公司对彩色PDP的结构和驱动方法的改进 ,将现今彩色PDP的亮度、对比度和色纯度等主要性能与过去相比 ,得到明显的改善 ,达到了与高清晰度CRT相当的性能。     

输入输出共轴的三弯曲型TM01-TE11模式转换器

 通过采用相位重匹配技术，设计了一种输入输出共轴的三弯曲型TM₀₁-TE₁₁模式转换器，该转换器由三段常曲率弯曲波导和两段直波导组成。用模式耦合理论建立了该类模式转换器的数值计算和优化设计方法，并设计了一个中心频率为7.0 GHz的模式转换器。该转换器的TM₀₁-TE₁₁转换效率在中心频率上大于99％，在6.5~7.5 GHz的频率范围内大于90％。应用时域有限差分法和有限元方法对所设计的模式转换器进行了仿真，仿真结果验证了设计理论和设计结果。     

TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.     

LS SIMD微处理器中的三组指令并发执行的设计

文章介绍了LS SIMD微处理器中实现三组指令并发执行的可能性和必要性，分析了三组指令并发执行给流水线带来的影响，并讨论了控制逻辑对三级指令并发执行的控制及其实现形式。